[发明专利]电气特性测试方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种应用于显示面板的电气特性测试方法。

背景技术

在显示领域，有源矩阵有机发光二极体(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED)具有宽广的色域、高的对比度、节能且可折叠等优点，在新一代显示技术中是最具竞争力的技术之一。

目前，AMOLED的驱动电路大多具有7T1C结构(即像素补偿电路中包括7个薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)和1个电容的结构)，该结构的电路可以有效地进行像素补偿，还可以有效地补偿驱动(Drive)TFT的阈值电压，从而改善画质。但是，相较于具有1T1C结构的液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)的驱动电路，AMOLED的驱动电路存在结构复杂、有限的空间内的TFT个数较多、连接关系复杂、而且金属裸露面积过小的问题，如此会导致对显示区域内的TFT器件(如Drive TFT)进行电气特性测试较为困难。

发明内容

本发明实施例提供一种用于测量显示面板的像素补偿电路的电气特性测试方法，其可以使得探针更精准地接触到显示区域内的金属层，方便对密集阵列显示区域内的薄膜晶体管器件进行电气特性测试与评价，还可以避免其他薄膜晶体管带来的漏电，影响测试结果。

本发明实施例提供了一种电气特性测试方法，用于测量显示面板的像素补偿电路，所述显示面板的像素补偿电路包括多个薄膜晶体管，所述电气特性测试方法包括：

去除所述显示面板中位于待测薄膜晶体管的漏极走线上方的膜层；

使用第一激光对所述像素补偿电路中的待测试薄膜晶体管与所述像素补偿电路中的其他薄膜晶体管连接的位置以及所述待测试薄膜晶体管与其他像素电路连接的位置进行切割操作；

使用探针扎入探测位置，并向所述探针施加预设电压以对所述待测薄膜晶体管的电气特性进行测试，其中，所述探测位置至少包括第一探测位置、第二探测位置和第三探测位置；

其中，所述第一探测位置和所述第二探测位置分别用于为所述待测薄膜晶体管的栅极和漏极提供电压，所述第三探测位置用于为发光信号线提供电压，所述发光信号线用于提供发光信号，所述发光信号为使得像素发光的开启信号。

其中，所述去除所述显示面板中位于待测薄膜晶体管的漏极走线上方的膜层，包括：

对所述待测薄膜晶体管进行加热操作；

当进行加热操作时，将浓酸滴在需要除膜的区域；

使用超声清洗仪对所述薄膜晶体管进行清洗操作，去除位于所述待测薄膜晶体管的漏极走线上方的膜层，所述膜层包括有机膜层和/或无机膜层。

其中，所述对所述待测薄膜晶体管进行加热操作，包括：

在加热板上对所述待测薄膜晶体管进行加热操作，所述加热操作的温度为180℃，所述加热操作的时间为25至30分钟。

其中，所述浓酸包括浓硝酸。

其中，所述清洗操作的温度为80℃，所述清洗操作的时间为10分钟。

其中，所述第一激光的波长为1064nm。

其中，所述使用探针扎入探测位置，并向所述探针施加预设电压以对所述待测薄膜晶体管的电气特性进行测试，包括：

使用第一探针、第二探针、第三探针和第四探针分别扎入所述第一探测位置、所述第二探测位置、所述第三探测位置和第四探测位置，其中，所述第四探测位置用于为所述待测薄膜晶体管的源极提供电压；

向所述第一探针施加第一循环电压，向所述第二探针施加第一电压，向所述第三探针施加第一负压，以及向所述第四探针施加第二电压，得到第一电气特性曲线；

向所述第一探针施加所述第一循环电压，向所述第二探针施加第三电压，向所述第三探针施加所述第一负压，以及向所述第四探针施加所述第二电压，得到第二电气特性曲线；

通过对比所述第一电气特性曲线和所述第二电气特性曲线，分析所述待测薄膜晶体管的电气特性。

其中，所述电气特性测试方法还包括：

在第四探测位置，使用第二激光对所述待测薄膜晶体管的栅极走线与所述待测薄膜晶体管的源极走线进行焊接操作，所述第四探测位置用于为所述待测薄膜晶体管的源极提供电压。

其中，所述第二激光的波长为532nm。

其中，所述使用探针扎入探测位置，并通过向所述探针施加预设电压，对所述待测薄膜晶体管的电气特性进行测试，包括：