[发明专利]电气特性测试方法

权利要求书

1.一种电气特性测试方法，用于测量显示面板的像素补偿电路，所述显示面板的像素补偿电路包括多个薄膜晶体管，其特征在于，所述电气特性测试方法包括：

去除所述显示面板中位于待测薄膜晶体管的漏极走线上方的膜层；

使用第一激光对所述像素补偿电路中的待测试薄膜晶体管与所述像素补偿电路中的其他薄膜晶体管连接的位置以及所述待测试薄膜晶体管与其他像素电路连接的位置进行切割操作；

使用探针扎入探测位置，并向所述探针施加预设电压以对所述待测薄膜晶体管的电气特性进行测试，其中，所述探测位置至少包括第一探测位置、第二探测位置和第三探测位置；

其中，所述第一探测位置和所述第二探测位置分别用于为所述待测薄膜晶体管的栅极和漏极提供电压，所述第三探测位置用于为发光信号线提供电压，所述发光信号线用于提供发光信号，所述发光信号为使得像素发光的开启信号。

2.如权利要求1所述的电气特性测试方法，其特征在于，所述去除所述显示面板中位于待测薄膜晶体管的漏极走线上方的膜层，包括：

对所述待测薄膜晶体管进行加热操作；

当进行加热操作时，将浓酸滴在需要除膜的区域；

使用超声清洗仪对所述薄膜晶体管进行清洗操作，去除位于所述待测薄膜晶体管的漏极走线上方的膜层，所述膜层包括有机膜层和/或无机膜层。

3.如权利要求2所述的电气特性测试方法，其特征在于，所述对所述待测薄膜晶体管进行加热操作，包括：

在加热板上对所述待测薄膜晶体管进行加热操作，所述加热操作的温度为180℃，所述加热操作的时间为25至30分钟。

4.如权利要求2所述的电气特性测试方法，其特征在于，所述浓酸包括浓硝酸。

5.如权利要求2所述的电气特性测试方法，其特征在于，所述清洗操作的温度为80℃，所述清洗操作的时间为10分钟。

6.如权利要求1所述的电气特性测试方法，其特征在于，所述第一激光的波长为1064nm。

7.如权利要求1至6任一项所述的电气特性测试方法，其特征在于，所述使用探针扎入探测位置，并向所述探针施加预设电压以对所述待测薄膜晶体管的电气特性进行测试，包括：

使用第一探针、第二探针、第三探针和第四探针分别扎入所述第一探测位置、所述第二探测位置、所述第三探测位置和第四探测位置，其中，所述第四探测位置用于为所述待测薄膜晶体管的源极提供电压；

向所述第一探针施加第一循环电压，向所述第二探针施加第一电压，向所述第三探针施加第一负压，以及向所述第四探针施加第二电压，得到第一电气特性曲线；

向所述第一探针施加所述第一循环电压，向所述第二探针施加第三电压，向所述第三探针施加所述第一负压，以及向所述第四探针施加所述第二电压，得到第二电气特性曲线；

通过对比所述第一电气特性曲线和所述第二电气特性曲线，分析所述待测薄膜晶体管的电气特性。

8.如权利要求1所述的电气特性测试方法，其特征在于，还包括：

在第四探测位置，使用第二激光对所述待测薄膜晶体管的栅极走线与所述待测薄膜晶体管的源极走线进行焊接操作，所述第四探测位置用于为所述待测薄膜晶体管的源极提供电压。

9.如权利要求8所述的电气特性测试方法，其特征在于，所述第二激光的波长为532nm。

10.如权利要求8或9所述的电气特性测试方法，其特征在于，所述使用探针扎入探测位置，并通过向所述探针施加预设电压，对所述待测薄膜晶体管的电气特性进行测试，包括：

使用第一探针、第二探针和第三探针分别扎入所述第一探测位置、所述第二探测位置和所述第三探测位置；

向所述第一探针施加第二循环电压，向所述第三探针施加第二负压，向所述第二探针施加第三负压，得到第三电气特性曲线，其中，所述第三负压小于所述第二负压；

向所述第一探针施加所述第二循环电压，向所述第三探针施加所述第二负压，向所述第二探针施加第四负压，得到第四电气特性曲线，其中，所述第四负压小于所述第二负压；

通过对比所述第三电气特性曲线和所述第四电气特性曲线，分析所述待测薄膜晶体管的电气特性。