[发明专利]压电声波器件的封装方法及封装结构

权利要求书

1.一种压电声波器件的封装方法，该封装方法包括：

提供用于形成压电声波器件的裸芯片，该裸芯片的表面设置有多个金属端口，该多个金属端口分布在所述裸芯片的有效活动区的外侧；

在所述裸芯片的表面上形成光刻胶层，该光刻胶层的厚度等于待形成的密封墙的高度；

利用掩膜版对所述光刻胶层进行曝光，使所述光刻胶层中环绕所述有效活动区的部分溶于显影液，其中，所述掩膜版上不透光区域的图形被设计为待形成的密封墙的水平截面形状、其余区域设计为透光，所述掩膜版置于所述光刻胶层上、并通过对准使所述掩膜版上不透光区域精确环绕所述裸芯片的有效活动区；

对曝光后的所述光刻胶层进行显影以形成环绕所述有效活动区的凹槽；在所述凹槽内填充金属以形成环绕所述有效活动区的密封墙；去除所述光刻胶层；

在所述裸芯片的多个金属端口上形成导电凸起块；

提供基板，该基板具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面，所述第一表面上设置有与所述裸芯片的多个金属端口对应的第一焊盘、以及与所述密封墙对应的第三焊盘，所述第二表面上设置有第二焊盘，所述第一焊盘和所述第二焊盘在所述基板内部电连接；

通过倒装工艺将所述裸芯片的导电凸起块与所述基板的第一焊盘进行电连接、以及使所述裸芯片的密封墙与所述基板的第三焊盘形成接触；

在所述基板上形成对所述裸芯片进行覆盖的密封外壳。

2.根据权利要求1所述的封装方法，其中：

所述密封墙形成在所述多个金属端口的外侧，对所述多个金属端口以及所述有效活动区进行环绕；或

所述密封墙形成在所述多个金属端口和所述有效活动区之间，对所述有效活动区进行环绕。

3.根据权利要求1或2所述的封装方法，其中，所述密封墙的高度在5μm至50μm之间，所述密封墙的宽度大于等于50μm。

4.根据权利要求1或2所述的封装方法，其中，所述密封墙呈矩形环形状、圆环形状或椭圆环形状。

5.根据权利要求1所述的封装方法，其中，通过倒装工艺将所述裸芯片的导电凸起块与所述基板的第一焊盘进行电连接包括：

在所述基板的第一焊盘上涂布电连接材料；

将所述裸芯片倒装地放置在所述基板上，其中，所述裸芯片的导电凸起块与所述基板的第一焊盘相对应；

通过对所述电连接材料进行加热固化在所述导电凸起块和所述第一焊盘之间形成电连接。

6.根据权利要求1所述的封装方法，其中，在所述基板上形成对所述裸芯片进行覆盖的密封外壳包括：

在所述基板上对塑封料进行固化成型操作以形成覆盖所述裸芯片的密封外壳。

7.根据权利要求1所述的封装方法，其中，所述压电声波器件是压电声表面波器件或压电体声波器件。