[发明专利]在导电高分子上形成线路的方法及可挠式触控装置在审

专利信息
申请号: 201711072678.0 申请日: 2017-11-03
公开(公告)号: CN107783697A 公开(公告)日: 2018-03-09
发明(设计)人: 蔡缘蓁 申请(专利权)人: 业成科技(成都)有限公司;业成光电(深圳)有限公司;英特盛科技股份有限公司
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041;H05K3/06
代理公司: 成都希盛知识产权代理有限公司51226 代理人: 杨冬梅,张行知
地址: 611730 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 导电 高分子 形成 线路 方法 可挠式触控 装置
【说明书】:

技术领域

发明是有关一种在导电高分子上形成线路的方法以及一种可挠式触控装置。

背景技术

现今的智慧型手机、平板电脑等终端需求,刺激触控技术朝向薄厚度、窄边框与低成本产品发展。目前市面上各式各样具有窄边框的产品,其边框宽度皆取决于金属导线的线宽与线距。一般网版印刷技术所得到的线宽约为60~80微米,凹版印刷技术所得到的线宽约为30~50微米,银将印刷技术所得到的线宽约为20~30微米,最普遍的黄光蚀刻制程则是15微米。然而,在使用黄光蚀刻制程的操作中,常用的蚀刻液容易造成产品的电性异常。此外,形成的细金属导线也容易产生附着性不佳而剥离的问题。

发明内容

本发明之一态样系提供一种在导电高分子上形成线路的方法,包含下列操作。首先,在基板上形成导电高分子层。接着,在导电高分子层上形成金属氧化层。继续于金属氧化层上形成金属层。然后,在金属层上形成第一图案化光阻层,且第一图案化光阻层具有至少一开口暴露金属层的第一部分。使用第一蚀刻液蚀刻金属层暴露的所述第一部分以及对应所述第一部分下方的导电高分子层和金属氧化层。接着,在移除第一图案化光阻层后,形成第二图案化光阻层以暴露出金属层的第二部分。使用第二蚀刻液蚀刻金属层暴露出的第二部分。

根据本发明之某些实施方式,导电高分子层包含聚(3,4-乙烯二氧吩)/聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)。

根据本发明之某些实施方式,金属氧化层包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化铟镓(IGO)。

根据本发明之某些实施方式,第一蚀刻液包含王水或硝酸。

根据本发明之某些实施方式,第二蚀刻液包含氯化铁或氯化铜。

本发明之另一态样系提供一种可挠式触控装置,其包含第一基板、第一触控电极、第一周边导线以及第二触控电极。第一基板包含第一感测区及第一周边区。第一周边区位于第一感测区的一侧。第一触控电极位于第一基板的第一感测区。第一触控电极包含第一导电高分子层和第一氧化金属层。第一周边导线位于第一基板的第一周边区。第一周边导线包含第二导电高分子层、第二氧化金属层和一第一金属层,其中第一金属层位于第一导电高分子层上方,且第二氧化金属层夹设于第二导电高分子层与第一金属层之间。第二触控电极与第一触控电极之间形成一电容。

根据本发明之某些实施方式,可挠式触控装置更包含第二基板。第二基板包含第二感测区及第二周边区。第二周边区位于第二感测区的一侧。第二触控电极配置在第二感测区内。第一及第二触控电极分别具有第一长轴方向及第二长轴方向,且第一长轴方向实质上垂直于第二长轴方向。

根据本发明之某些实施方式,可挠式触控装置更包含第二周边导线。第二周边导线位于第二基板之第二周边区内。

根据本发明之某些实施方式,第一周边导线具有第一厚度,且第一触控电极具有第二厚度。第一厚度大于第二厚度。

根据本发明之某些实施方式,第一导电高分子层的材料与第二导电高分子层的材料相同,且第一氧化金属层的材料与第二氧化金属层的材料相同。

附图说明

为让本发明之上述和其他目的、特征、优点与实施方式能更明显易懂,所附图式之详细说明如下:

图1绘示根据本发明某些实施方式之在导电高分子上形成线路之制造阶段的剖面示意图。

图2绘示根据本发明某些实施方式之在导电高分子上形成线路之制造阶段的剖面示意图。

图3绘示根据本发明某些实施方式之在导电高分子上形成线路之制造阶段的剖面示意图。

图4绘示根据本发明某些实施方式之在导电高分子上形成线路之制造阶段的剖面示意图。

图5绘示根据本发明某些实施方式之在导电高分子上形成线路之制造阶段的剖面示意图。

图6绘示根据本发明某些实施方式之在导电高分子上形成线路之制造阶段的剖面示意图。

图7绘示根据本发明某些实施方式之在导电高分子上形成线路之制造阶段的剖面示意图。

图8绘示根据本发明某些实施方式之可挠式触控装置的上视示意图。

图9绘示根据本发明某些实施方式之可挠式触控装置的剖面示意图。

附图标记:

110:基板236:第一金属层

120:导电高分子层240:第二触控电极

130:金属氧化层242:第三导电高分子层

140:金属层244:第三金属氧化层

142:第一部分250:第二基板

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