[发明专利]在导电高分子上形成线路的方法及可挠式触控装置在审
申请号: | 201711072678.0 | 申请日: | 2017-11-03 |
公开(公告)号: | CN107783697A | 公开(公告)日: | 2018-03-09 |
发明(设计)人: | 蔡缘蓁 | 申请(专利权)人: | 业成科技(成都)有限公司;业成光电(深圳)有限公司;英特盛科技股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041;H05K3/06 |
代理公司: | 成都希盛知识产权代理有限公司51226 | 代理人: | 杨冬梅,张行知 |
地址: | 611730 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电 高分子 形成 线路 方法 可挠式触控 装置 | ||
1.一种在导电高分子上形成线路的方法,其特征在于,包含:
形成一导电高分子层于一基板上;
形成一金属氧化层于该导电高分子层上;
形成一金属层于该金属氧化层上;
形成一第一图案化光阻层于该金属层上,该第一图案化光阻层具有至少一开口暴露该金属层的一第一部分;
使用一第一蚀刻液蚀刻该金属层暴露的该第一部分以及对应该第一部分下方的该导电高分子层和该金属氧化层;
移除该第一图案化光阻层;
形成一第二图案化光阻层以暴露出该金属层的一第二部分;以及
使用一第二蚀刻液蚀刻该金属层暴露出的该第二部分。
2.如权利要求1所述之在导电高分子上形成线路的方法,其特征在于,该导电高分子层包含聚(3,4-乙烯二氧吩)/聚苯乙烯磺酸。
3.如权利要求1所述之在导电高分子上形成线路的方法,其特征在于,该金属氧化层包含氧化铟锡、氧化铟锌或氧化铟镓。
4.如权利要求1述之在导电高分子上形成线路的方法,其特征在于,该第一蚀刻液包含王水或硝酸。
5.如权利要求1述之在导电高分子上形成线路的方法,其特征在于,该第二蚀刻液包含氯化铁或氯化铜。
6.一种可挠式触控装置,其特征在于,包含:
一第一基板,包含一第一感测区及一第一周边区位于该第一感测区的一侧;
一第一触控电极,位于该第一基板之该第一感测区,该第一触控电极包含一第一导电高分子层和一第一氧化金属层;
一第一周边导线,位于该第一基板之该第一周边区,该第一周边导线包含一第二导电高分子层、一第二氧化金属层和一第一金属层,其中该第一金属层位于该第一导电高分子层上方,且该第二氧化金属层夹设于该第二导电高分子层与该第一金属层之间;以及
一第二触控电极,与该第一触控电极之间形成一电容。
7.如权利要求6所述之可挠式触控装置,其特征在于,更包含一第二基板,其包含一第二感测区及一第二周边区位于该第二感测区的一侧,该第二触控电极配置在该第二感测区,其中该第一及该第二触控电极分别具有一第一长轴方向及一第二长轴方向,且该第一长轴方向实质上垂直于该第二长轴方向。
8.如权利要求7所述之可挠式触控装置,其特征在于,更包含一第二周边导线,位于该第二基板之该第二周边区。
9.如权利要求6所述之可挠式触控装置,其特征在于,该第一周边导线具有一第一厚度,该第一触控电极具有一第二厚度,且该第一厚度大于该第二厚度。
10.如权利要求6所述之可挠式触控装置,其特征在于,该第一导电高分子层的材料与该第二导电高分子层的材料相同,且该第一氧化金属层的材料与该第二氧化金属层的材料相同。
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