[发明专利]OLED封装结构及OLED封装方法

权利要求书

1.一种OLED封装结构，其特征在于，包括TFT基板(1)、与所述TFT基板(1)相对设置的封装盖板(3)、于OLED的有效显示区(AA)内设置在TFT基板(1)靠近封装盖板(3)一侧上的OLED器件(5)及于OLED的有效显示区(AA)外围设置在TFT基板(1)与封装盖板(3)之间的框胶(7)；

所述封装盖板(3)包括封装基板(31)及设置在所述封装基板(31)靠近TFT基板(1)一侧上与OLED的有效显示区(AA)相对应的UV阻挡层(33)；所述UV阻挡层(33)为具有低UV光透过率与高可见光透过率的透明薄膜。

2.如权利要求1所述的OLED封装结构，其特征在于，所述封装基板(31)为玻璃基板、石英基板或高分子聚合物基板。

3.如权利要求1所述的OLED封装结构，其特征在于，所述UV阻挡层(33)的厚度为10nm～2000nm。

4.如权利要求1所述的OLED封装结构，其特征在于，所述UV阻挡层(33)的材料包括氧化锌、二氧化钛与二氧化铈中的一种或多种。

5.如权利要求1所述的OLED封装结构，其特征在于，所述OLED器件(5)与UV阻挡层(33)之间设有保护层(4)。

6.如权利要求1所述的OLED封装结构，其特征在于，还包括于OLED的有效显示区(AA)外围设置在框胶(7)内侧的干燥剂(8)。

7.一种OLED封装方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1、提供TFT基板(1)，于欲形成的OLED显示区(AA)内在所述TFT基板(1)上制备出OLED器件(5)；

步骤S2、提供封装基板(31)，于欲形成的OLED显示区(AA)内在所述封装基板(31)上制备出UV阻挡层(33)；

所述UV阻挡层(33)为具有低UV光透过率与高可见光透过率的透明薄膜；

所述封装基板(31)与UV阻挡层(33)构成封装盖板(3)；

步骤S3、先于欲形成的OLED显示区(AA)外围在封装盖板(3)的四周边缘上涂布框胶(7)，再将封装盖板(3)与TFT基板(1)进行对组，然后向封装盖板(3)照射UV光，使框胶(7)固化。

8.如权利要求7所述的OLED封装方法，其特征在于，所述步骤S1还包括在所述OLED器件(5)上沉积保护层(4)；所述步骤S3还包括于欲形成的OLED显示区(AA)外围在框胶(7)的内侧放置干燥剂(8)。

9.如权利要求7所述的OLED封装方法，其特征在于，所述UV阻挡层(33)为氧化锌无机薄膜、二氧化钛无机薄膜或二氧化铈无机薄膜；所述步骤S2采用热蒸镀工艺、磁控溅射工艺、化学汽相沉积工艺或原子层沉积工艺制备UV阻挡层(33)。

10.如权利要求7所述的OLED封装方法，其特征在于，所述UV阻挡层(33)为氧化锌粒子、二氧化钛粒子或二氧化铈粒子中的一种或多种分散在有机树脂溶液中形成的薄膜；所述步骤S2采用旋涂工艺、流延成膜工艺、喷墨打印工艺、喷嘴印刷工艺或滴注工艺制备UV阻挡层(33)。