[发明专利]固体摄像装置

权利要求书

1.一种固体摄像装置，具备被配置成二维状的多个像素，

所述多个像素的每一个具备：

第一电压的半导体衬底；

金属电极；

光电转换层，被形成在所述金属电极上，并将光转换为电信号；

透明电极，被形成在所述光电转换层上；

电荷积蓄区域，形成在所述半导体衬底中，与所述金属电极电连接，并积蓄来自所述光电转换层的电荷；

放大晶体管，输出与所述电荷积蓄区域的电荷量相对应的信号电压；以及

复位晶体管，对所述电荷积蓄区域的电位进行复位，

在所述复位晶体管导通时，所述复位晶体管的栅极被施加第二电压，

在所述复位晶体管断开时，所述复位晶体管的栅极被施加第三电压，

所述第一电压处于所述第二电压与所述第三电压之间，

所述固体摄像装置还具备位于所述电荷积蓄区域的上部的表面注入区域，

所述电荷积蓄区域是第1导电型，所述表面注入区域是第2导电型。

2.如权利要求1所述的固体摄像装置，

所述固体摄像装置还具备电源电路，该电源电路将电压施加到所述透明电极，

构成所述电源电路的晶体管的栅极氧化膜的膜厚比所述复位晶体管的栅极氧化膜的膜厚厚。

3.如权利要求1所述的固体摄像装置，

所述放大晶体管的沟道宽度比所述复位晶体管的沟道宽度大。

4.如权利要求1所述的固体摄像装置，

所述多个像素的每一个还具备选择晶体管，该选择晶体管决定所述放大晶体管对所述信号电压进行输出的定时，

所述多个像素包括第一像素，

所述第一像素内的所述选择晶体管与所述第一像素内的所述放大晶体管共享活性区的一部分，

所述第一像素内的所述复位晶体管的活性区与所述第一像素内的所述放大晶体管的活性区电隔离。

5.如权利要求1所述的固体摄像装置，

所述多个像素的每一个还具备选择晶体管，该选择晶体管决定所述放大晶体管对所述信号电压进行输出的定时，

所述多个像素包括第一像素、以及在受光面上与该第一像素在水平方向上相邻的第二像素，

所述第一像素内的所述复位晶体管被配置在，所述第一像素内的所述放大晶体管与所述第二像素内的所述放大晶体管之间。

6.如权利要求1所述的固体摄像装置，

所述复位晶体管的栅极长度比所述放大晶体管的栅极长度长。

7.如权利要求4或5所述的固体摄像装置，

所述选择晶体管的栅极长度比所述放大晶体管的栅极长度短。

8.如权利要求1所述的固体摄像装置，

所述多个像素包括第一像素、以及在受光面上与该第一像素在垂直方向上相邻的第二像素，

所述第一像素内的所述放大晶体管与所述第二像素内的所述放大晶体管共享活性区。

9.如权利要求1所述的固体摄像装置，

所述多个像素的每一个还具备选择晶体管，该选择晶体管决定所述放大晶体管对所述信号电压进行输出的定时，

所述多个像素包括第一像素、以及在受光面上与该第一像素在垂直方向上相邻的第二像素，

所述第一像素内的所述选择晶体管与所述第二像素内的所述选择晶体管共享活性区。

10.如权利要求1所述的固体摄像装置，

所述多个像素包括第一像素、以及在受光面上与该第一像素在垂直方向上相邻的第二像素，

所述第一像素内的所述复位晶体管与所述第二像素内的所述复位晶体管共享活性区。

11.如权利要求1所述的固体摄像装置，

所述复位晶体管的栅极氧化膜的膜厚在4nm至13nm的范围，

所述放大晶体管的栅极氧化膜的膜厚在3nm至6nm的范围。

12.如权利要求1所述的固体摄像装置，

所述多个像素的每一个还具备选择晶体管，该选择晶体管决定所述放大晶体管对所述信号电压进行输出的定时，

所述多个像素包括第一像素、以及在受光面上与该第一像素在水平方向上相邻的第二像素，

所述第一像素内的所述复位晶体管被配置在，所述第一像素内的所述选择晶体管与所述第二像素内的所述选择晶体管之间。