[发明专利]用于处理基板的装置和方法有效
申请号: | 201711044543.3 | 申请日: | 2017-10-31 |
公开(公告)号: | CN108022860B | 公开(公告)日: | 2022-05-03 |
发明(设计)人: | 郑煐宪;朴昶昱 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人: | 石宝忠 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 处理 装置 方法 | ||
本发明构思的实施方式涉及一种用于去除残留在基板上的液体的装置和方法。基板处理装置包括:基板支撑单元,其配置成支撑基板;液体供给单元,其配置成将液体供给到由基板支撑单元支撑的基板上;以及加热单元,其配置成加热由基板支撑单元支撑的基板,其中,基板支撑单元包括:支撑板,其具有用于放置基板的放置表面,并在放置表面上具有吸附孔;旋转轴,其配置成旋转支撑板;以及真空构件,其配置成减小吸附孔的压力,使得放置在放置表面上的基板被真空吸附在支撑板上。因此,可以提高基板的干燥效率。
技术领域
本发明构思的实施方式涉及一种用于对基板进行液体处理的装置和方法,更具体地,涉及用于去除残留在基板上的液体的装置和方法。
背景技术
制造半导体器件和平板显示面板的工艺包括诸如光刻工艺、蚀刻工艺、灰化工艺、薄膜沉积工艺和清洁工艺的各种工艺。在这些工艺中,在光刻工艺中,依次进行涂布、曝光和显影步骤。涂布工艺是将诸如抗蚀剂的感光性液体涂布在基板的表面上的工艺。曝光工艺是在形成有感光膜的基板上曝光电路图案的工艺。显影工艺是选择性地显影基板的曝光区域的工艺。
通常,显影工艺包括显影液供给操作、冲洗液供给操作和干燥操作。依次进行显影液供给操作、冲洗液供给操作和干燥操作。显影液供给操作是通过将显影液供给到基板上来显影曝光区域的操作,而冲洗液供给操作是冲洗由显影液产生的工艺副产物和残留显影液的操作。干燥操作是干燥残留在基板上的冲洗液的操作。
在操作中基板以不同的速度旋转,并且基板在干燥操作中比在显影液供给操作和冲洗液供给操作中以更高的速度旋转,以便干燥液体。
然而,当图案的线宽变细到30nm以下时,如图1所示,在干燥冲洗液的工艺中,经常发生图案塌陷的图案塌陷现象。此外,基板的不同区域的旋转速度是不同的,因此无法均匀地干燥基板的这些区域。
发明内容
本发明构思的实施方式提供了一种用于稳定地干燥基板的装置和方法。
本发明构思的实施方式还提供了一种用于均匀干燥基板的各区域的装置和方法。
本发明构思的实施方式提供一种用于去除残留在基板上的液体的装置和方法。
根据本发明构思的一个方面,提供了一种基板处理装置,包括:基板支撑单元,其配置成支撑基板;液体供给单元,其配置成将液体供给到由基板支撑单元支撑的基板上;以及加热单元,其配置成加热由基板支撑单元支撑的基板,其中,基板支撑单元包括:支撑板,其具有用于放置基板的放置表面,并在放置表面上具有吸附孔;旋转轴,其配置成旋转支撑板;以及真空构件,其配置成减小吸附孔的压力,使得放置在放置表面上的基板被真空吸附在支撑板上。
放置表面可以具有小于基板的面积,加热单元可以包括第一加热构件,其位于由基板支撑单元支撑的基板下方,并且第一加热构件可以包括:加热板,其具有围绕支撑板的外周的形状;以及第一加热器,其设置在加热板中。加热单元还可以包括第二加热构件,其位于由基板支撑单元支撑的基板上方,第一加热构件可以加热基板的周边区域,并且第二加热构件可以加热基板的中心区域。液体供给单元可以包括:处理喷嘴,其配置成在支撑板上方将处理液供给到被放置在支撑板上的基板上;以及清洁喷嘴,其安装在加热板中并且配置成将清洁液供给到被放置在支撑板上的基板的底表面。处理液可以包括显影液。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造