[发明专利]用于处理基板的装置和方法有效
申请号: | 201711044543.3 | 申请日: | 2017-10-31 |
公开(公告)号: | CN108022860B | 公开(公告)日: | 2022-05-03 |
发明(设计)人: | 郑煐宪;朴昶昱 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人: | 石宝忠 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板处理装置,包括:
基板支撑单元,其配置成支撑所述基板;
液体供给单元,其配置成将液体供给到由所述基板支撑单元支撑的所述基板上;
加热单元,其配置成加热由所述基板支撑单元支撑的所述基板;以及
控制器,其配置成控制所述液体供给单元和所述加热单元,
其中,所述基板支撑单元包括:
支撑板,其具有用于放置所述基板的放置表面,并在所述放置表面上具有吸附孔;
旋转轴,其配置成旋转所述支撑板;以及
真空构件,其配置成减小所述吸附孔的压力,使得放置在所述放置表面上的所述基板被真空吸附在所述支撑板上,
其中,所述加热单元包括第一加热构件,所述第一加热构件位于由所述基板支撑单元支撑的所述基板的下方,并且
其中,所述第一加热构件包括:
加热板,其具有围绕所述支撑板的外周的形状;
第一加热器,其设置在所述加热板中;以及
升降构件,其配置成升降所述加热板和所述支撑板中的一个以调节所述加热板和所述支撑板之间的相对高度,
其中,所述升降构件按第一间隔或按小于所述第一间隔的第二间隔移动所述加热板和所述支撑板,
其中,所述控制器控制所述液体供给单元和所述加热单元以依次进行将所述处理液供给到所述基板上的处理液供给操作、将冲洗液供给到所述基板上的冲洗液供给操作以及去除所述基板上的所述冲洗液的干燥操作,所述控制器在所述冲洗液供给操作中将所述加热板和所述支撑板之间的间隔调节为所述第一间隔,并且在所述干燥操作中将所述加热板和所述支撑板之间的间隔调节为所述第二间隔。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,所述放置表面具有小于所述基板的面积。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,所述加热单元还包括:
第二加热构件,其位于由所述基板支撑单元支撑的所述基板上方,
其中,所述第一加热构件加热所述基板的周边区域,并且
其中,所述第二加热构件加热所述基板的中心区域。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其中,所述液体供给单元包括:
处理喷嘴,其配置成在所述支撑板上方将处理液供给到被放置在所述支撑板上的所述基板上;以及
清洁喷嘴,其安装在所述加热板中并且配置成将清洁液供给到被放置在所述支撑板上的所述基板的底表面。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其中,所述处理液包括显影液。
6.根据权利要求4或5所述的基板处理装置,其中,所述液体供给单元还包括:
冲洗喷嘴,其配置成在所述支撑板上方将冲洗液供给到被放置在所述支撑板上的所述基板上,
其中,所述控制器控制所述基板支撑单元以在所述处理液供给操作中以处理速度旋转所述基板、在所述冲洗液供给操作中以冲洗速度旋转所述基板以及在所述干燥操作中以低于所述处理速度和所述冲洗速度的干燥速度旋转所述基板。
7.一种用于处理基板的方法,所述方法包括:
将液体供给到被旋转的基板上的液体供给操作;以及
在所述液体供给操作之后加热所述被旋转的基板的干燥操作,
其中,在旋转所述基板的同时,将所述基板真空吸附在支撑板上,
其中,通过利用位于所述基板下方的第一加热器加热所述基板的周边区域来加热所述基板,
其中,在所述液体供给操作中,将所述支撑板和所述第一加热器之间的间隔调节为第一间隔,
其中,在所述干燥操作中,将所述支撑板和所述第一加热器之间的间隔调节为第二间隔,并且
其中,所述第二间隔小于所述第一间隔。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,所述支撑板的用于放置所述基板的放置表面具有比所述基板小的面积。
9.根据权利要求7所述的方法,其中,位于所述基板上方的第二加热器在所述干燥操作中加热所述基板的中心区域。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于细美事有限公司,未经细美事有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711044543.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种电力变压器潜在故障诊断方法
- 下一篇:一种高分子柔性导电薄膜的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造