[发明专利]晶片分离系统与方法在审
申请号: | 201711037621.7 | 申请日: | 2017-10-30 |
公开(公告)号: | CN108122810A | 公开(公告)日: | 2018-06-05 |
发明(设计)人: | 曹昌宸;吕国良;李汝谅;庄胜翔;郑有宏;杜友伦;胡政纲 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 路勇 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 接合 组合件 晶片 晶片分离 晶片卡盘 叶片 边缘缺陷 初始扭矩 第一表面 顶部表面 分离设备 晶片破损 径向相对 上表面 卡盘 牵拉 | ||
本发明实施例涉及晶片分离系统与方法。本公开涉及一种用于分离一对接合衬底的方法。在所述方法中,提供分离设备,其包含晶片卡盘、弹性晶片组合件及一组分开叶片。将所述对接合衬底放置在所述晶片卡盘上使得所述接合衬底对的第一衬底与卡盘顶部表面接触。将所述弹性晶片组合件放置在所述接合衬底对上方使得其第一表面与所述接合衬底对的第二衬底的上表面接触。将具有不同厚度的分开叶片对从彼此径向相对的所述对接合衬底的边缘插入于所述第一衬底与所述第二衬底之间,而同时向上牵拉所述第二衬底直到所述弹性晶片组合件使所述第二衬底从所述第一衬底弯曲。通过在所述接合衬底对的相对侧上提供不平衡初始扭矩,减少边缘缺陷及晶片破损。
技术领域
本发明实施例涉及晶片分离系统与方法。
背景技术
在半导体晶片(例如,硅晶片)上通过多个处理步骤(例如,蚀刻步骤、光刻步骤、沉积步骤等)制造集成芯片,接着将半导体晶片切割成分开集成芯片。为实现较高整合、简化封装工艺或耦合电路或其它组件等,在一些情况中,在切割步骤之前将两个或多于两个晶片接合在一起,且在薄化之后在晶片的两侧上制造电路。针对“大于摩尔”,晶片级接合是有前途技术,其中通过并入不一定根据摩尔定律定标的功能性而将附加值提供到装置。分离在一些情况中在晶片级接合程序期间为合乎需要的,且可举例来说用于将一个晶片与另一晶片分开,且可用于在对准不合规格或落在晶片上的粒子导致界面空隙等时再加工衬底。
发明内容
本发明的实施例涉及一种用于分离一对接合衬底的方法,其包含:提供分离设备,其包含晶片卡盘、弹性晶片组合件及一组分开叶片;将所述对接合衬底放置在所述晶片卡盘上使得所述接合衬底对的第一衬底与卡盘顶部表面接触;将所述弹性晶片组合件放置在所述接合衬底对上方使得其第一表面与所述接合衬底对的第二衬底的上表面接触;将具有不同厚度的分开叶片对从彼此径向相对的所述接合衬底对的边缘插入于所述第一衬底与所述第二衬底之间,而同时向上牵拉所述第二衬底直到所述弹性晶片组合件使所述第二衬底从所述第一衬底弯曲。
本发明的实施例涉及一种用于分离接合衬底对的方法,其包含:提供晶片卡盘,所述晶片卡盘经配置以固持所述对接合衬底的第一衬底使其与卡盘顶部表面接触;提供一组分开叶片,其包括含有经配置以放置在彼此径向相对的所述对接合衬底的边缘处的第一分开叶片及第二分开叶片的至少一对分开叶片;及提供弹性晶片组合件,其通过可编程驱动电动机控制,且包含经放置彼此径向相对的至少第一拉头及第二拉头,其中所述第一拉头及所述第二拉头经配置以放置在所述晶片卡盘的所述顶部表面上且施加不同力以固持并移动第二衬底使其远离所述第一衬底。
本发明的实施例涉及一种用于分离一对接合衬底的分离设备,其包含:晶片卡盘,其经配置以固持所述对接合衬底的第一衬底使其与卡盘顶部表面接触;一对分开叶片,其包括经配置以放置在彼此径向相对的所述对接合衬底的边缘处的第一分开叶片及第二分开叶片,其中所述第一分开叶片具有比所述第二分开叶片的第二厚度更小的第一厚度;及弹性晶片组合件,其包含第一拉头及与所述第一拉头径向相对的第二拉头,其中所述第一拉头及所述第二拉头经配置以放置在所述对经接合晶片上方且固持并移动所述对接合衬底的第二衬底使其与所述第一衬底分开。
附图说明
当结合附图阅读时,从以下详细描述最优选地理解本公开的方面。应注意,根据产业中的标准实践,各种装置未按比例绘制。事实上,为了清楚论述可任意增大或减小各种装置的尺寸。
图1图解说明根据一些实施例的用于分离一对经接合晶片的晶片分离系统的透视图。
图2A图解说明根据一些实施例的用于使用具有不同厚度的一对分开叶片及具有不同拉力的一对拉头来分离一对经接合晶片的晶片分离方法的示意图。
图2B图解说明根据一些替代实施例的用于使用具有不同拉力的一对拉头来分离一对经接合晶片的晶片分离方法的示意图。
图2C图解说明根据一些替代实施例的用于使用具有不同厚度的一对分开叶片来分离一对经接合晶片的晶片分离方法的示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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