[发明专利]一种新型阻焊显影液及其制备方法

说明书

本发明提供了一种新型阻焊显影液，包含以下组分：碱金属碳酸盐，碱金属氢氧化物，碱金属偏硅酸盐，碱金属碳酸盐为碳酸钾和碳酸钠中的至少一种，碱金属氢氧化物为氢氧化钾和氢氧化钠中的至少一种，碱金属偏硅酸盐包含偏硅酸钠、偏硅酸钾、钠水玻璃和钾水玻璃等，新型阻焊显影液的制备方法，包含以下步骤：将工业纯水加入到容器中；按比例称取各试剂，然后将试剂加入前步骤的容器中，调节酸碱度，搅拌至全部溶解即可，本发明提供的显影液降低了换槽频率，生产效率得到提高，解决了使用传统显影液槽壁产生的钙镁结晶的问题，显影液保质期长，不易变质，产品生产工艺流程简单，不需要投入贵重设备，显影能力好，适用于快速批量生产。

技术领域

本发明属于显影液技术领域，具体涉及一种新型阻焊显影液及其制备方法。

背景技术

目前，绝大多数印制电路板厂在制造电路板过程中都要经过曝光显影这一道工艺，只有经过这道工艺才能进行下一道“图形电镀铜”工艺。但是在进行曝光显影之前，必须按照工程的设计在电路板上覆盖一层高分子聚合物膜，这一聚合物膜经过紫外光照射后进行曝光显影，曝光后的膜我们称之为显影膜。在下一步的工艺中必须将这种显影膜完全去除，如果不去除或者去除不干净的话，那么在后一步的图形电镀铜工艺中，会导致残留的显影膜夹杂在铜层当中，进而会造成铜层与铜层之间的短路，从而造成电路板的报废，大大增加生产成本。随着电路板表面贴装密度的增加和间距的缩小，对阻焊的要求也越来越高，特别是在比较密集的集成电路板位置，最小阻焊桥宽为3mil。由于间距小，在电路板的显影处理过程中，如果阻焊桥的侧蚀过大，则极易造成阻焊桥的脱落，导致电路板在客户端焊接时产生焊料的流动，从而造成线路的短路、贴装不良等问题，因此，阻焊桥的侧蚀程度是影响显影效果的重要因素。

目前生产线上对显影膜的除去大致可以分为两大类：第一类就是重复多次使用传统的去除液来除去显影膜，然而这样将大大增加工作量和使用大量的药水，将会降低生产效率和提高生产成本；第二类就是在现有的显影膜去除液中添加增强化学药品，但是添加的化学药品大多为有毒物质，这样既造成对工作人员身体的伤害，也会增加对环境的污染。中国专利文献201610122642.8公开了一种光刻胶用显影液，该显影液包含四甲基氢氧化铵、氢氧化钾、硼酸钾、碳酸钾、碳酸钠中的任意两种，可以应用于各种膜后的光刻胶，显影团分辨率高。然而，四甲基氢氧化铵有氨气味且腐蚀性很强，有一定危险性。中国专利文献201010606503.5公开了一种正性光刻胶用显影液，包括碱性物质、水、表面活性剂和蛋白水解酶，该发明提供的正性光刻胶显影液中，蛋白水解酶能够催化曝光过程中生成的溶解度较小的肽键化合物进行水解，使其溶于显影液中，从而减少了光刻胶残留的缺陷，不会对后续的刻蚀工艺或离子注入工艺造成影响。然而该发明所用试剂较多，成本较高，不利于推广应用。

综上所述，目前尚缺乏一种成本低、易于配制且较为环保的显影液。

发明内容

为解决现有技术存在的不足，本发明的目的之一是提供一种容易配制、成本低廉的新型阻焊显影液。

本发明的目的之二是提供上述阻焊显影液的制备方法。

一种新型阻焊显影液，包含以下重量份计的组分：

碱金属碳酸盐 150-350g/L,

碱金属氢氧化物 10-40g/L,

碱金属偏硅酸盐 1-5g/L。

优选地，所述碱金属碳酸盐为碳酸钾和碳酸钠中的至少一种。

优选地，所述碱金属氢氧化物为氢氧化钾和氢氧化钠中的至少一种。

优选地，所述碱金属偏硅酸盐包含偏硅酸钠、偏硅酸钾、钠水玻璃、钾水玻璃。

进一步优选地，所述碱金属偏硅酸盐为碱金属偏硅酸盐的水合物。