[发明专利]半导体器件及制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底，具有在所述半导体衬底的顶部中的第一区域和第二区域；

作为所述半导体衬底的一部分的多个第一突出部，所述多个第一突出部从所述第一区域的所述半导体衬底的顶部突出，沿着所述半导体衬底的顶部在第一方向上延伸，并且被布置在与所述第一方向正交的第二方向上；

作为所述半导体衬底的一部分的多个第二突出部，所述多个第二突出部从所述第二区域的所述半导体衬底的顶部突出，沿着所述半导体衬底的顶部在第三方向上延伸，并且被布置在与所述第三方向正交的第四方向上；

第一元件隔离膜，在彼此相邻的所述第一突出部之间填充并且具有位于每个所述第一突出部的顶部下方的顶部，

第二元件隔离膜，在彼此相邻的所述第二突出部之间露出所述半导体衬底的顶部，并且嵌入沟槽中，所述沟槽围绕所述第二突出部形成在所述半导体衬底的顶部中，

第一栅电极，在所述第二方向上覆盖每个所述第一突出部的顶部和侧表面，其间具有第一绝缘膜；

第二栅电极，在所述第四方向上覆盖每个所述第二突出部的顶部和侧表面，并且在彼此相邻的所述第二突出部之间覆盖所述半导体衬底的顶部，其间具有第二绝缘膜；

第一源极区域和第一漏极区域，形成在所述第一突出部的表面中，以在平面视角下夹持所述第一栅电极；以及

第二源极区域和第二漏极区域，形成在所述第二突出部的表面中，并且形成在所述半导体衬底的顶部中，以在平面视角下夹持所述第二栅电极，

其中所述第一栅电极、所述第一源极区域和所述第一漏极区域配置为第一场效应晶体管，所述第二栅电极、所述第二源极区域和所述第二漏极区域配置为第二场效应晶体管，并且所述第二元件隔离膜的顶部位于所述第一元件隔离膜的顶部下方。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二元件隔离膜的顶部位于所述第一元件隔离膜的底部下方。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一突出部在所述第二方向上的宽度为50nm以下，所述第二突出部在所述第二方向上的宽度为50nm以下。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第二源极区域和所述第二漏极区域均具有第一导电类型，并且

其中在所述第二栅电极正下方的所述半导体衬底中，与所述第一导电类型不同的第二导电类型的杂质的浓度从所述第二突出部的顶部到与所述半导体衬底的顶部相对的底侧逐渐减小。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二场效应晶体管在比所述第一场效应晶体管更高的电压下工作。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第二源极区域和所述第二漏极区域均具有第一导电类型，

其中所述第二突出部包括上端部、下端部和中间部，所述上端部包括所述第二突出部的顶部，所述中间部位于所述上端部与所述下端部之间，

其中在所述第二突出部的上端部中与所述第一导电类型不同的第二导电类型的杂质的浓度高于在彼此相邻的所述第二突出部之间的所述半导体衬底的顶部中的所述第二导电类型的杂质的浓度，

其中彼此相邻的所述第二突出部中的一个突出部具有第一侧表面和在与所述第一侧表面相对的一侧上的第二侧表面，

其中所述第二突出部中的另一个突出部具有第三侧表面和在与所述第三侧表面相对的一侧上的第四侧表面，

其中所述第二侧表面和所述第三侧表面彼此相对，并且

其中从所述第二突出部的下端到上端的高度大于所述第二方向上的所述第一侧表面与所述第三侧表面之间的宽度的一半。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述第二突出部的中间部中的所述第二导电类型的杂质的浓度高于彼此相邻的所述第二突出部之间的所述半导体衬底的顶部中的所述第二导电类型的杂质的浓度。