[发明专利]晶圆加工装置及其加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆加工装置及其加工方法。

背景技术

在晶圆加工过程中，经常需要将晶圆固定于加工装置上，从而方便对晶圆的加工。

现有半导体加工工艺中，固定晶圆的方式主要由以下三种：第一，通过夹持头对晶圆进行夹持，从而固定晶圆；第二，通过静电吸附作用将晶圆固定于加工装置上；第三，采用真空吸附的方式来固定晶圆。其中，真空吸附的方式能够使晶圆受力均匀，不容易损伤晶圆，且真空吸附对环境的要求低。因此，通过真空吸附固定晶圆的方式应用较广泛。采用真空吸附固定晶圆，加工完毕后需要利用氮气吹扫的方式促使晶圆从吸盘上释放。

然而，现有的晶圆加工方法中，晶圆释放成功率较低。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种晶圆加工装置及其加工方法，能够提高晶圆释放的成功率。

为解决上述问题，本发明提供一种晶圆加工装置，包括：吸盘，所述吸盘包括吸附板和背板，所述吸附板和背板围成空腔，所述吸附板中具有气孔，所述气孔贯穿所述吸附板，且与所述空腔贯通；第一管道，所述第一管道包括第一连接端和第二连接端，所述第一连接端与所述吸盘连接，且所述第一管道与所述空腔贯通第二管道，所述第二管道与所述第二连接端连接，所述第二管道上具有第一阀门；第三管道，所述第三管道用于向所述空腔中通入释放气体，使所述晶圆与吸盘分离，所述第三管道与所述第二连接端连接。

可选的，所述第一阀门为气动阀、电动阀或手动阀。

可选的，所述第一阀门为常开阀。

可选的，所述第二管道上具有第二阀门。

可选的，所述第二阀门为气动阀、电动阀或手动阀；所述第二阀门为常闭阀。

可选的，所述第一阀门包括第一控制端，所述第一控制端用于控制所述第一阀门的开启和关闭；所述第二阀门包括第二控制端，所述第二控制端用于控制所述第二阀门的开启和关断。

可选的，所述第一控制端和所述第二控制端连接。

可选的，所述第一阀门为气动阀，所述第二阀门为气动阀，所述加工装置还包括：连接所述第一控制端和第二控制端的连接管道；或者，所述第一阀门为电动阀，所述第二阀门为气电动阀，所述第一控制端和第二控制端电连接。

本发明技术方案还提供一种晶圆加工方法，包括：提供晶圆；提供晶圆加工装置；使所述晶圆与所述吸附板相互吸附；使所述晶圆与所述吸附板相互吸附之后，对所述晶圆进行加工处理；所述加工处理之后，通过所述第三管道向所述空腔中通入释放气体，使所述晶圆与吸盘分离；向所述空腔中通入释放气体之前或向所述空腔中通入释放气体过程中，关闭所述第一阀门。

可选的，所述第三管道上具有第二阀门；所述加工处理之后，向所述空腔中通入释放气体之前，开启所述第二阀门。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

本发明技术方案提供的晶圆加工装置中，使吸盘与晶圆分离的过程中，向所述第三管道通入释放气体，所述释放气体通过第一管道进入所述空腔中，并通过所述气孔推动所述晶圆，使吸盘与晶圆分离。所述第二管道设置有第一阀门，在使吸盘释放所述晶圆的过程中，可以关闭所述第一阀门。关闭所述第一阀门之后，所述释放气体不会进入所述第二管道，从而能够减少释放气体的泄漏。同时关闭所述第一阀门，能够使所述第一管道中的释放气体流量增加，使第一管道中释放气体的压强增加，从而使所述第一管道施加给晶圆的压力增加，进而容易使所述晶圆与吸盘分离，提高晶圆释放成功率。

进一步，所述第一控制端和所述第二控制端连通，能够使所述第一阀门开启的同时第二阀门关闭，所述第一阀门关闭的同时第二阀门开启，从而能够降低操作所述晶圆加工装置的复杂度。

本发明技术方案提供的晶圆加工方法中，向所述空腔中通入释放气体之前或向所述空腔中通入释放气体过程中，关闭所述第一阀门。关闭所述第一阀门之后，所述释放气体不会进入所述第二管道，从而能够减少释放气体的泄漏。同时关闭所述第一阀门能够使所述第一管道中的释放气体流量增加，使第一管道中释放气体的压强增加，从而使所述第一管道施加给晶圆的压力增加，进而容易使所述晶圆与吸盘分离，提高晶圆释放成功率。

附图说明

图1和图2是一种晶圆加工装置的结构示意图；

图3至图5是本发明的晶圆加工装置一实施例的结构示意图；

图6至图9是本发明的晶圆加工方法一实施例各步骤的结构示意图。

具体实施方式

晶圆加工装置及其加工方法具有诸多缺陷，例如晶圆释放成功率较低。