[发明专利]扇出型天线封装结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201711014958.6 申请日: 2017-10-25
公开(公告)号: CN107706521A 公开(公告)日: 2018-02-16
发明(设计)人: 陈彦亨;林正忠;吴政达;林章申;何志宏 申请(专利权)人: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
主分类号: H01Q1/38 分类号: H01Q1/38;H01L21/56
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 代理人: 余明伟
地址: 214437 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 扇出型 天线 封装 结构 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种扇出型天线封装结构,其特征在于,所述扇出型天线封装结构包括:

半导体芯片;

塑封材料层,包括相对的第一表面及第二表面,所述塑封材料层塑封于所述半导体芯片的外围;

金属连线,位于所述塑封材料层内,且上下贯通所述塑封材料层;

天线结构,位于所述塑封材料层的第一表面上,且与所述金属连线电连接;

重新布线层,位于所述塑封材料层的第二表面上,且与所述半导体芯片及所述金属连线电连接;

焊球凸块,位于所述重新布线层远离所述塑封材料层的表面上,且与所述重新布线层电连接。

2.根据权利要求1所述的扇出型天线封装结构,其特征在于,所述半导体芯片包括:

裸芯片;

接触焊垫,位于所述裸芯片上,并与所述裸芯片电连接;其中,所述接触焊垫所在的表面为所述半导体芯片的正面。

3.根据权利要求1所述的扇出型天线封装结构,其特征在于,所述金属连线包括:

连接凸块;与所述重新布线层电连接;

金属线,位于所述连接凸块上,与所述连接凸块及所述天线结构电连接。

4.根据权利要求1所述的扇出型天线封装结构,其特征在于,所述天线结构包括交替叠置的介质层及金属天线,且所述天线结构的顶层为金属天线,相邻所述金属天线之间及所述金属天线与所述金属连线之间均经由金属插塞电连接。

5.根据权利要求1所述的扇出型天线封装结构,其特征在于,所述天线结构包括一层金属天线。

6.根据权利要求4或5所述的扇出型天线封装结构,其特征在于,所述金属天线的形状呈矩形螺旋状。

7.根据权利要求6所述的扇出型天线封装结构,其特征在于,所述金属天线的数量为多个,多个所述金属天线沿所述介质层表面延伸的方向呈阵列排布。

8.根据权利要求1所述的扇出型天线封装结构,其特征在于,所述重新布线层包括:

绝缘层,位于所述塑封材料层的第二表面上;

凸块下金属层,位于所述绝缘层内,且与所述半导体芯片及所述金属连线电连接;

至少一层金属线层,位于所述绝缘层内,且与所述凸块下金属层及所述焊球凸块电连接。

9.根据权利要求1所述的扇出型天线封装结构,其特征在于,所述扇出型天线封装结构还包括连接焊球,所述连接焊球位于所述塑封材料层内,且位于所述半导体芯片与所述重新布线层之间,以将所述半导体芯片与所述重新布线层电连接。

10.一种扇出型天线封装结构的制备方法,其特征在于,所述扇出型天线封装结构的制备方法包括如下步骤:

1)提供一载体,并于所述载体的上表面形成剥离层;

2)于所述剥离层的表面形成重新布线层;

3)提供半导体芯片,将所述半导体芯片正朝下装设于所述重新布线层的表面;

4)采用打线工艺于所述重新布线层的表面形成金属连线;

5)于所述剥离层的表面形成塑封材料层,所述塑封材料层填满所述半导体芯片与所述金属连线之间的间隙及所述半导体芯片与所述重新布线层之间的间隙,并将所述半导体芯片及所述金属连线塑封;所述塑封材料层包括相对的第一表面及第二表面,所述塑封材料层的第二表面与所述重新布线层相接触,且所述塑封材料层的第一表面暴露出所述金属连线的上表面;

6)于所述塑封材料层的第一表面形成天线结构,所述天线结构与所述金属连线电连接;

7)去除所述载体及所述剥离层;

8)于所述重新布线层远离所述塑封材料层的表面形成焊球凸块,所述焊球凸块与所述重新布线层电连接。

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