[发明专利]具备自测试功能的双总线型E-FLASH控制电路

权利要求书

1.一种具备自测试功能的双总线型E-FLASH控制电路，其特征是：包括用于对E-FLASH单元（103）进行测试的测试模块（102）以及能实现对E-FLASH单元（103）操作的总线接口模块（100），所述总线接口模块（100）与控制模块（101）连接；

所述总线接口模块（100）包括与控制模块（101）连接的AHB桥（105）以及与控制模块（101）连接的配置寄存器（107），所述配置寄存器（107）与IPS桥（106）连接，所述配置寄存器（107）与E-FLASH单元（103）连接；

通过AHB桥（105）与IPS桥（106）配合对E-FLASH单元（103）进行所需的操作，或通过IPS桥（106）直接对E-FLASH单元（103）进行所需的操作；

通过IPS桥（106）直接实现对E-FLASH单元（103）进行的操作包括数据擦除、数据读取或数据写入；对E-FLASH单元（103）进行操作时，通过对配置寄存器（107）进行配置，以控制E-FLASH单元（103）完成所需的操作；

通过AHB桥（105）与IPS桥（106）配合对E-FLASH单元（103）进行的操作包括数据擦除、数据读取或数据写入；对E-FLASH单元（103）进行操作时，通过IPS桥（106）对配置寄存器（107）进行配置，AHB桥（105）将操作控制信息传输至控制模块（101）内，控制模块（101）根据操作控制信息使得E-FLASH单元（103）完成所需的操作；

所述AHB桥（105）向控制模块（101）传输的操作控制信息包括地址信息或数据信息。

2.根据权利要求1所述的具备自测试功能的双总线型E-FLASH控制电路，其特征是：所述控制模块（101）与数据缓冲模块（108）连接，通过数据缓冲模块（108）能存储对E-FLASH单元（103）操作过程中数据的地址信息，控制模块（101）能直接读取数据缓冲模块（108）中存储的地址信息。

3.根据权利要求1所述的具备自测试功能的双总线型E-FLASH控制电路，其特征是：在对E-FLASH单元（103）进行测试时，向测试模块（102）串行输入测试指令和配置参数，根据配置参数对所需执行的测试操作进行相应的配置，并生成相应的测试激励，以对E-FLASH单元（103）进行相应的测试，测试模块（102）能将对E-FLASH单元（103）的测试结果输出。