[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201711008663.8 | 申请日: | 2017-10-25 |
公开(公告)号: | CN108122944B | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
发明(设计)人: | 李恩惠;金䈚桓 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;H01L21/84 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光显示装置,包括:
设置在基板上的薄膜晶体管和金属线;
平坦化层,所述平坦化层具有配置成暴露所述薄膜晶体管的像素接触孔;
设置在所述平坦化层上的有机发光元件;
第一突起,所述第一突起与所述有机发光元件的阳极电极间隔开并且配置成从所述平坦化层朝向所述有机发光元件的阴极电极突出;以及
辅助连接电极,所述辅助连接电极设置在所述第一突起上并连接至所述阴极电极并且通过所述平坦化层内的辅助接触孔连接到所述金属线,
其中,所述第一突起具有与通过所述像素接触孔暴露的所述平坦化层的侧表面角度不同的侧表面角度,并且
其中,所述第一突起设置在所述金属线之上。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述第一突起的侧表面角度大于通过所述像素接触孔暴露的所述平坦化层的侧表面角度。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述第一突起使用与所述平坦化层相同的材料与所述平坦化层一体地形成。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述第一突起具有比设置在所述阳极电极与所述阴极电极之间的有机发光层的厚度大的厚度。
5.根据权利要求1至4任一项所述的有机发光显示装置,进一步包括设置在所述辅助连接电极上以与所述第一突起重叠的第二突起。
6.根据权利要求5所述的有机发光显示装置,进一步包括配置成暴露所述阳极电极和所述辅助连接电极的堤部,
其中所述第二突起由与所述堤部相同的材料形成。
7.根据权利要求6所述的有机发光显示装置,其中所述第一突起和所述第二突起中的至少一个包括之间插入有凹部的至少两个第一突起或第二突起,并且
其中所述凹部具有比所述第一突起和第二突起中的至少一个的宽度小的宽度。
8.根据权利要求4所述的有机发光显示装置,其中,所述金属线是经由所述辅助连接电极连接至所述阴极电极的低电压供给线。
9.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中设置在相邻子像素之间的有机发光元件的有机发光层经由所述第一突起彼此分离。
10.一种制造有机发光显示装置的方法,包括:
形成设置在基板上的薄膜晶体管和金属线;
形成平坦化层,所述平坦化层具有配置成暴露所述薄膜晶体管的像素接触孔、配置成暴露所述金属线的辅助接触孔以及配置成从所述平坦化层突出的第一突起;
形成设置在所述第一突起上并通过所述辅助接触孔连接到所述金属线的辅助连接电极、以及与所述辅助连接电极间隔开的阳极电极;以及
形成在所述第一突起的侧表面上连接至所述辅助连接电极的阴极电极,
其中所述第一突起具有与通过所述像素接触孔暴露的所述平坦化层的侧表面角度不同的侧表面角度,并且
其中,所述第一突起设置在所述金属线之上。
11.根据权利要求10所述的方法,其中所述第一突起的侧表面角度大于通过所述像素接触孔暴露的所述平坦化层的侧表面角度。
12.根据权利要求10或11所述的方法,进一步包括形成暴露所述阳极电极和所述辅助连接电极的堤部,并且同时在所述辅助连接电极上形成与所述第一突起重叠的第二突起。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的