[发明专利]一种硫化锑基光电探测器的制备方法

权利要求书

1.一种硫化锑基光电探测器的制备方法，其特征在于，具有以下的工艺过程和步骤：

（1）衬底预处理：掺杂氟的SnO₂透明导电玻璃作为衬底，用去离子水、乙醇和丙酮分别超声清洗5-15 分钟，随后用去离子水冲洗干净并氩气吹干后备用；

（2）TiO₂薄膜的制备：将四异丙醇钛乙醇溶液与盐酸乙醇溶液混合均匀后，旋涂到洗净的FTO 上，旋 涂前用高温胶带粘住FTO边缘0.2cm作为器件的背电极，最后将带有二氧化钛前驱体的FTO 放入管式电阻炉中，在400-600^oC下空气中退火30-50min；

（3）Sb₂S₃薄膜的制备：采用热蒸镀法在FTO/TiO₂沉积硫化锑薄膜，再在沉积的硫化锑薄膜表面旋涂硫代乙酰胺DMF溶液，然后在氩气氛围中退火30～60 min，退火温度为200～400℃，采用热蒸镀法在FTO/TiO₂沉积硫化锑薄膜，在沉积前将装置真空室的压强抽至5x10^-4Pa以下；通过调节加热电流来控制样品沉积速度，沉积速度控制在10～30 nm/s，硫化锑薄膜沉积的厚度为200～500nm；

（4）石墨烯的生长：使用化学气相沉积法CVD生长石墨烯薄膜，将铜箔在氩气气氛中从室温加热到900-1200 ℃，在900-1200 ℃条件下通入氢气，退火30～40 min分钟后，再通入氩气、氢气、甲烷的混合气体，反应10~30 min，再在氩气保护下，降温至室温，将生长了石墨烯的铜箔用硝酸铁溶液刻蚀后用去离子水清洗，得到石墨烯备用，该步骤中，通入氩气、氢气、甲烷的混合气体中，氩气的通入速度为300 mL/min、氢气的通入速度为30～50 mL/min、甲烷的通入速度为10～20 mL/min；

（5）光电探测器的组装：将（4）中生长的石墨烯薄膜转移到（3）中制备的硫化锑薄膜上，然后用银胶、银线做为电极，得到TiO₂/Sb₂S₃/石墨烯光电探测器。

2.权利要求1所述的硫化锑基光电探测器的制备方法，其特征在于，硫代乙酰胺DMF溶液的浓度为0.001g/mL～0.1g/mL。