[发明专利]可配置电路及其操作方法和集成电路

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

钳位驱动器电路，其被配置成驱动功率晶体管，并且包括：

耦接在第一电源端子与所述钳位驱动器电路的输出端子之间的上拉电路，和

耦接在第二电源端子与所述钳位驱动器电路的输出端子之间的下拉电路；

耦接在所述第一电源端子与所述上拉电路之间的电压调节器；和

耦接至所述上拉电路和所述下拉电路的逻辑电路，所述逻辑电路包括钳位驱动器配置输入端和钳位驱动器输入端，其中，所述逻辑电路被配置成：

当所述钳位驱动器配置输入端处于第一状态时，使所述钳位驱动器电路处于第一配置，其中，所述上拉电路和所述下拉电路工作以驱动外部钳位晶体管，以及其中，在所述第一配置中，所述外部钳位晶体管的控制节点耦接至所述钳位驱动器电路的输出端子并且所述外部钳位晶体管的输出端子耦接至所述功率晶体管的控制节点；和

当所述钳位驱动器配置输入端处于不同于所述第一状态的第二状态时，使所述钳位驱动器电路处于第二配置，其中，禁用所述上拉电路和所述电压调节器，并且所述下拉电路用作钳位电路，以及其中，在所述第二配置中，所述下拉电路经由所述钳位驱动器电路的输出端子连接到所述功率晶体管的控制节点。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述功率晶体管位于所述钳位驱动器电路外部。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述功率晶体管是绝缘栅双极型晶体管IGBT。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述钳位驱动器电路被配置成使来自所述功率晶体管的控制节点的电流消散。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述钳位驱动器电路被布置在半导体基板上。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述上拉电路包括p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，并且所述下拉电路包括n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET。

7.根据权利要求1所述的集成电路，还包括耦接在所述第一电源端子与所述钳位驱动器电路的所述上拉电路之间的电压限制电路。

8.根据权利要求7所述的集成电路，其中，所述电压限制电路包括齐纳二极管。

9.根据权利要求1所述的集成电路，还包括耦接至所述钳位驱动器电路的控制器，其中，所述控制器被配置成向所述钳位驱动器电路发送用于控制所述钳位驱动器电路被配置成按照所述第一配置还是按照所述第二配置工作的控制信号。

10.根据权利要求1所述的集成电路，还包括电压限制电路，所述电压限制电路耦接至所述钳位驱动器电路并且被配置成限制所述钳位驱动器电路的输出端子处的电压。

11.根据权利要求10所述的集成电路，其中，所述电压限制电路包括齐纳二极管。