[发明专利]驱动基板及显示装置有效
申请号: | 201710999747.6 | 申请日: | 2017-10-24 |
公开(公告)号: | CN109698204B | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 陈蔚宗;林柏辛;蔡学宏 | 申请(专利权)人: | 元太科技工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02B26/00;G02F1/167;G02F1/1675 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 驱动 显示装置 | ||
本发明提供一种驱动基板及显示装置,该驱动基板包括基材、至少一主动元件、电阻、第一保护层以及第二保护层。具有氧化物半导体层的主动元件与耦接至主动元件的电阻配置于基材上。第一保护层覆盖主动元件,其中部分第一保护层直接接触氧化物半导体层而使氧化物半导体层具有第一导电率。第二保护层覆盖第一保护层与电阻,其中部分第二保护层直接接触电阻而使电阻具有第二导电率。第一导电率不同于第二导电率。
技术领域
本发明涉及一种基板及电子装置,尤其涉及一种驱动基板以及具有上述驱动基板的显示装置。
背景技术
一般来说,非晶硅薄膜晶体管在高电压操作环境下容易造成临界电压飘移与高漏电流(off current)的情形,且非晶硅的分子结构排列是没有顺序与方向性的,会使得非晶硅薄膜晶体管中通道层的电子移动受到影响,进而使载子迁移率(mobility)下降。相较之下,氧化物半导体薄膜晶体管具有较优异的耐高电压稳定性与较好的载子迁移率。因此,氧化物半导体薄膜晶体管有潜力成为于高电压操作环境下显示装置的驱动元件。
然而,氧化物半导体薄膜晶体管虽具有良好的耐高电压特性,却不耐高电流(高热),造成于高电压操作环境下,氧化物半导体薄膜晶体管因无法承受高电流而导致毁损,进而使得显示装置无法正常使用。因此,目前大都是将氧化物半导体薄膜晶体管的通道层长度拉大以降低电流负载,然而此种方法伴随而来的就是寄生电容的增加,使得产生严重的信号延迟与较高的功率损耗。
发明内容
本发明提供一种驱动基板,其具有与主动元件彼此耦接的电阻,可有效地防止主动元件的内部因负载高电流而造成主动元件烧毁,同时可改善寄生电容造成信号延迟与高功耗的问题。
本发明提供一种显示装置,其包括上述的驱动基板,具有较佳地稳定性与较长的使用寿命。
本发明的驱动基板,其包括基材、至少一主动元件、电阻、第一保护层以及第二保护层。主动元件配置于基材上且包括氧化物半导体层。电阻配置于基材上且耦接至主动元件。第一保护层覆盖主动元件,其中部分第一保护层直接接触氧化物半导体层而使氧化物半导体层具有第一导电率。第二保护层覆盖第一保护层与电阻,其中部分第二保护层直接接触电阻而使电阻具有第二导电率。第一导电率不同于第二导电率。
在本发明的一实施例中,上述的主动元件还包括栅极、栅绝缘层、源极以及漏极。栅绝缘层配置于栅极与氧化物半导体层之间。源极以及漏极配置于氧化物半导体层的同一侧上,且氧化物半导体层的部分暴露于源极与漏极之间。
在本发明的一实施例中,上述的氧化物半导体层位于栅极与基材之间。源极与漏极位于栅绝缘层与基材之间。
在本发明的一实施例中,上述的电阻与源极或漏极电性串联。
在本发明的一实施例中,上述的第一保护层于基材上的正投影不重叠电阻于基材上的正投影。
在本发明的一实施例中,上述的第一保护层的材质不同于第二保护层的材质。
在本发明的一实施例中,上述的第一保护层的材质为氧化硅,而第二保护层的材质为氮化硅。
在本发明的一实施例中,上述的氧化物半导体层的材质选自铟镓锌氧化物、铟锌氧化物、铟氧化物、锌氧化物、铟钛氧化物或锌钛氧化物。
在本发明的一实施例中,上述的电阻与氧化物半导体层属于同一膜层。
本发明的显示装置,其包括驱动基板以及显示介质。驱动基板包括基材、至少一主动元件、电阻、第一保护层以及第二保护层。主动元件配置于基材上且包括氧化物半导体层。电阻配置于基材上且耦接至主动元件。第一保护层覆盖主动元件,其中部分第一保护层直接接触氧化物半导体层而使氧化物半导体层具有第一导电率。第二保护层覆盖第一保护层与电阻,其中部分第二保护层直接接触电阻而使电阻具有第二导电率。第一导电率不同于第二导电率。显示介质配置于驱动基板上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的