[发明专利]驱动基板及显示装置有效
申请号: | 201710999747.6 | 申请日: | 2017-10-24 |
公开(公告)号: | CN109698204B | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 陈蔚宗;林柏辛;蔡学宏 | 申请(专利权)人: | 元太科技工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02B26/00;G02F1/167;G02F1/1675 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 驱动 显示装置 | ||
1.一种驱动基板,其特征在于,包括:
基材;
至少一主动元件,配置于所述基材上且包括氧化物半导体层,所述至少一主动元件还包括:
栅极;
栅绝缘层,配置于所述栅极与所述氧化物半导体层之间;以及
源极以及漏极,配置于所述氧化物半导体层的同一侧上,且所述氧化物半导体层的部分暴露于所述源极与所述漏极之间;
电阻,配置于所述基材上且耦接至所述至少一主动元件,所述电阻与所述源极或所述漏极电性串联且直接接触,其中所述电阻与所述基材之间仅有一层所述栅绝缘层;
第一保护层,覆盖所述至少一主动元件,其中部分所述第一保护层直接接触所述氧化物半导体层而使所述氧化物半导体层具有第一导电率,且所述第一保护层于所述基材上的正投影不重叠所述电阻于所述基材上的正投影;以及
第二保护层,覆盖所述第一保护层与所述电阻,其中部分所述第二保护层直接接触所述电阻而使所述电阻具有第二导电率,所述第一导电率不同于所述第二导电率。
2.一种驱动基板,其特征在于,包括:
基材;
至少一主动元件,配置于所述基材上且包括氧化物半导体层,所述至少一主动元件还包括:
栅极;
栅绝缘层,配置于所述栅极与所述氧化物半导体层之间,且所述栅极与所述氧化物半导体层之间仅有一层所述栅绝缘层;以及
源极以及漏极,配置于所述氧化物半导体层的同一侧上,且所述氧化物半导体层的部分暴露于所述源极与所述漏极之间,其中所述氧化物半导体层位于所述栅极与所述基材之间,而所述源极与所述漏极位于所述栅绝缘层与所述基材之间;
电阻,配置于所述基材上且耦接至所述至少一主动元件;
第一保护层,覆盖所述至少一主动元件,其中部分所述第一保护层直接接触所述氧化物半导体层而使所述氧化物半导体层具有第一导电率,且所述第一保护层于所述基材上的正投影不重叠所述电阻于所述基材上的正投影;以及
第二保护层,覆盖所述第一保护层与所述电阻,其中部分所述第二保护层直接接触所述电阻而使所述电阻具有第二导电率,所述第一导电率不同于所述第二导电率。
3.根据权利要求1或2所述的驱动基板,其特征在于,所述第一保护层的材质不同于所述第二保护层的材质。
4.根据权利要求1或2所述的驱动基板,其特征在于,所述第一保护层的材质为氧化硅,而所述第二保护层的材质为氮化硅。
5.根据权利要求1或2所述的驱动基板,其特征在于,所述氧化物半导体层的材质选自铟镓锌氧化物、铟锌氧化物、铟氧化物、锌氧化物、铟钛氧化物或锌钛氧化物。
6.根据权利要求1或2所述的驱动基板,其特征在于,所述电阻与所述氧化物半导体层属于同一膜层。
7.一种显示装置,其特征在于,包括:
驱动基板,包括:
基材;
至少一主动元件,配置于所述基材上且包括氧化物半导体层,所述至少一主动元件还包括:
栅极;
栅绝缘层,配置于所述栅极与所述氧化物半导体层之间;以及
源极以及漏极,配置于所述氧化物半导体层的同一侧上,且所述氧化物半导体层的一部分暴露于所述源极与所述漏极之间;
电阻,配置于所述基材上且耦接至所述至少一主动元件,所述电阻与所述源极或所述漏极电性串联且直接接触,其中所述电阻与所述基材之间仅有一层所述栅绝缘层;
第一保护层,覆盖所述至少一主动元件,其中部分所述第一保护层直接接触所述氧化物半导体层而使所述氧化物半导体层具有第一导电率,且所述第一保护层于所述基材上的正投影不重叠所述电阻于所述基材上的正投影;以及
第二保护层,覆盖所述第一保护层与所述电阻,其中部分所述第二保护层直接接触所述电阻而使所述电阻具有第二导电率,所述第一导电率不同于所述第二导电率;以及
显示介质,配置于所述驱动基板上。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其特征在于,所述第一保护层的材质不同于所述第二保护层的材质。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的