[发明专利]半导体结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201710998624.0 | 申请日： | 2017-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN109698213A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 杨玉如;刘志建;谢朝景;周孝邦 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体结构 鳍状晶体管 源/漏极 电极 电阻式随机存取存储器 电阻转换 栅极结构 鳍状结构 电连接 基底 鳍状 制作 | ||
1.一种半导体结构，包含有:
鳍状晶体管，位于一基底上，该鳍状晶体管包含有一栅极结构跨越于一鳍状结构上，以及至少一源/漏极区；以及
电阻式随机存取存储器(RRAM)，包含下电极、电阻转换层与上电极依序位于该源/漏极区上并电连接于该鳍状晶体管。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该源/漏极区具有一平坦顶面。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该鳍状结构包含有部分外延层区域，该源/漏极区位于该外延层区域内，且该电阻式随机存取存储器跨越于该外延层区域。
4.如权利要求3所述的半导体结构，其中该电阻式随机存取存储器直接接触部分该外延层区域。
5.如权利要求3所述的半导体结构，其中该外延层区域具有一非平坦顶面。
6.如权利要求3所述的半导体结构，其中该外延层区域具有至少一上斜面在[111]平面上及至少一下斜面在[111]平面上。
7.如权利要求3所述的半导体结构，其中该外延层区域具有一多角形剖面结构。
8.如权利要求1所述的半导体结构，其中还包含有介电层，位于该基底上，且该介电层中包含有接触洞，曝露部分该鳍状结构。
9.如权利要求8所述的半导体结构，其中该电阻式随机存取存储器位于该接触洞内。
10.如权利要求8所述的半导体结构，其中该鳍状结构包含有一外延层区域，且该接触洞还曝露部分该外延层区域。
11.如权利要求10所述的半导体结构，其中该电阻式随机存取存储器位于该接触洞内。
12.如权利要求1所述的半导体结构，其中该电阻式随机存取存储器直接接触该源/漏极区。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
