[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板以及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体地，涉及薄膜晶体管、阵列基板以及显示装置。

背景技术

近年来，增强现实(AR)和虚拟现实(VR)技术在显示领域的运用发展迅速，是目前应用研究的热点。AR技术是一种实时地计算摄影机影像的位置及角度并加上相应图像、视频、3D模型的技术，其目标是在屏幕上把虚拟世界套在现实世界并进行互动；VR技术是借助计算机图形技术和立体视觉显示技术，把计算机渲染的虚拟场景呈现给用户，并且提供用户友好的虚实交互方式，从而提供用户沉浸式的虚拟现实体验。随着AR和VR技术的发展，其对液晶显示屏的要求也逐渐提高。

然而，目前的薄膜晶体管、阵列基板以及显示装置仍有待改进。

发明内容

本发明是基于发明人对于以下事实和问题的发现和认识作出的：

发明人发现，目前的显示装置普遍存在着薄膜晶体管占用面积大，产品开口率低，分辨率低等问题，发明人经过深入研究以及大量实验发现，这主要是由于目前的显示装置的薄膜晶体管中，有源层通常设计为U型或者L型，且源漏电极为间隔设置的同一层金属结构，且间隔设置的源漏电极间的距离(Margin)不足，也会造成产品的缺陷，影响良率。因此当显示装置的分辨率提高后，薄膜晶体管占用面积较大，造成开口率低，无法实现分辨率的提高，进而无法满足逐渐发展的显示装置，特别是AR和VR技术对显示装置的高分辨率的性能要求。随着AR和VR技术在显示领域的运用，高分辨率显示装置已成为发展趋势，其对用户的体验效果起着至关重要的作用。由此，显示装置也朝着高分辨率的方向发展，其像素越来越小，其对薄膜晶体管的电路机构要求越来越高。因此，如果能够制备一种占用面积小的薄膜晶体管，其运用于显示装置时，将大大提高显示装置的开口率与分辨率，提高显示效果与用户的体验效果。

本发明旨在至少一定程度上缓解或解决上述提及问题中至少一个。

在本发明的一个方面，本发明提出了一种薄膜晶体管。根据本发明的实施例，该薄膜晶体管包括：衬底；第一源漏电极，所述第一源漏电极设置在所述衬底上；有源层，所述有源层设置在所述第一源漏电极远离所述衬底的一侧；第二源漏电极，所述第二源漏电极设置在所述有源层远离所述第一源漏电极的一侧，其中，所述第一源漏电极与所述第二源漏电极分别独立地与所述有源层相连。由此，该薄膜晶体管具有以下优点的至少之一：占用面积小，减少了不透光部分的面积，提高了产品良率，有利于制备像素尺寸小、开口率高、分辨率高的显示装置。

根据本发明的实施例，所述有源层在所述衬底上的投影为矩形。由此，可以进一步提高该薄膜晶体管的性能。

根据本发明的实施例，所述有源层在所述衬底上的投影位于所述第一源漏电极在所述衬底上的投影范围内。由此，第一源漏电极可以起到遮光的作用，可以避免采用多晶硅形成有源层时，多晶硅材料在背光的照射下产生光生电流，防止漏电。

根据本发明的实施例，所述第二源漏电极在所述衬底上的投影与所述第一源漏电极在所述衬底上的投影部分重叠。由此，可以减小薄膜晶体管的占用面积，有利于制备像素尺寸小、开口率高、分辨率高的显示装置。

根据本发明的实施例，该薄膜晶体管进一步包括以下结构的至少之一：缓冲层，所述缓冲层设置在所述第一源漏电极与所述有源层之间，所述缓冲层具有第一过孔，所述有源层通过所述第一过孔与所述第一源漏电极电性相连；层间介电层，所述层间介电层设置在所述有源层与所述第二源漏电极之间，所述层间介电层具有第二过孔，所述有源层通过所述第二过孔与所述第二源漏电极电性相连。由此，第一源漏电极与第二源漏电极可以简便的通过过孔分别独立地与有源层相连，进一步提高该薄膜晶体管的性能。

根据本发明的实施例，所述薄膜晶体管的栅极设置在所述有源层以及所述第二源漏电极之间。由此，可以进一步提高该薄膜晶体管的性能。

在本发明的另一个方面，本发明提出了一种阵列基板。根据本发明的实施例，该阵列基板包括前面所述的薄膜晶体管。由此，该阵列基板可以具有前面描述的薄膜晶体管所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该阵列基板具有以下优点的至少之一：薄膜晶体管的占用面积小，减少了不透光部分的面积，提高了产品良率，有利于制备像素尺寸小、开口率高、分辨率高的显示装置。