[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板以及显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

衬底；

第一源漏电极，所述第一源漏电极设置在所述衬底上；

有源层，所述有源层设置在所述第一源漏电极远离所述衬底的一侧；

第二源漏电极，所述第二源漏电极设置在所述有源层远离所述第一源漏电极的一侧，

其中，所述第一源漏电极与所述第二源漏电极分别独立地与所述有源层相连。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层在所述衬底上的投影为矩形。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层在所述衬底上的投影位于所述第一源漏电极在所述衬底上的投影范围内。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二源漏电极在所述衬底上的投影与所述第一源漏电极在所述衬底上的投影部分重叠。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，进一步包括以下结构的至少之一：

缓冲层，所述缓冲层设置在所述第一源漏电极与所述有源层之间，所述缓冲层具有第一过孔，所述有源层通过所述第一过孔与所述第一源漏电极电性相连；

层间介电层，所述层间介电层设置在所述有源层与所述第二源漏电极之间，所述层间介电层具有第二过孔，所述有源层通过所述第二过孔与所述第二源漏电极电性相连。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管的栅极设置在所述有源层以及所述第二源漏电极之间。

7.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1～6任一项所述的薄膜晶体管。

8.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底；

第一源漏电极，所述第一源漏电极设置在所述衬底上；

有源层，所述有源层设置在所述第一源漏电极远离所述衬底的一侧；

栅极，所述栅极设置在所述有源层远离所述第一源漏电极的一侧；

第二源漏电极，所述第二源漏电极设置在所述栅极远离所述有源层的一侧；

像素电极，所述像素电极设置在所述第二源漏电极远离所述栅极的一侧，所述像素电极与所述第二源漏电极电性相连，

其中，所述第一源漏电极与所述第二源漏电极分别独立地与所述有源层相连，所述有源层在所述衬底上的投影位于所述第一源漏电极在所述衬底的投影范围内，所述第二源漏电极在所述衬底上的投影与所述第一源漏电极在所述衬底上的投影部分重叠。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，进一步包括以下结构的至少之一：

缓冲层，所述缓冲层设置在所述第一源漏电极远离所述衬底的一侧，所述缓冲层具有第一过孔，所述第一过孔贯穿所述缓冲层；

层间介电层，所述层间介电层设置在所述栅极远离所述有源层的一侧，所述层间介电层具有第二过孔，所述第二过孔贯穿所述层间介电层；

第一钝化层，所述第一钝化层设置在所述第二源漏电极远离所述层间介质层的一侧；

公共电极，所述公共电极设置在所述第一钝化层远离所述第二源漏电极的一侧；

第二钝化层，所述第二钝化层设置在所述公共电极以及所述像素电极之间。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求7～9任一项所述的阵列基板。