[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 201710995702.1 | 申请日: | 2017-10-23 |
公开(公告)号: | CN109698215A | 公开(公告)日: | 2019-04-30 |
发明(设计)人: | 王欣欣;廖金龙;宋丽芳;胡月;叶志杰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机功能层 第一膜层 膜层 容纳 第一材料 阵列基板 制备 疏水材料 显示装置 亲水层 基底 亲水材料层 构图工艺 亲水材料 所在平面 预定距离 均一性 排斥力 部侧 贯穿 | ||
本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置,属于显示技术领域。本发明的阵列基板的制备方法,包括:在基底上形成第一材料层;第一材料层至少包括靠近基底侧的亲水材料层;通过构图工艺形成具有容纳部的第一膜层;其中,容纳部贯穿第一材料层;第一膜层包括亲水层;在第一膜层上形成第二膜层,第二膜层至少位于容纳部侧边上,且与容纳部所底部所在平面之间设置有预定距离,并与亲水层接触;其中,第二膜层的材料包括疏水材料。因此,在容纳部中形成有机功能层时,虽然第一膜层中的亲水材料对有机功能层有拉力,但是此时第二膜层中的疏水材料对该有机功能层有排斥力,有机功能层在这两个力的作用下,使得其均一性增加。
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机电致发光二极管(OLED,Organic Light Emitting Diode)是一种有机薄膜电致发光器件,其具有制备工艺简单、成本低、发光效率高、易形成柔性结构等优点。因此,利用有机电致发光二极管的显示技术已成为一种重要的显示技术。
目前,OLED的成膜方式有两种,一种是蒸镀制程,这种最适合小尺寸OLED的生产,且目前已经量产;另一种是溶液制程,这种方法主要是利用已经配置好的有机材料溶液进行旋涂、喷墨打印或丝网印刷等方式成膜,这种方式具有成本低、产能高、适用于大尺寸面板等优点,被国内外广泛研究。其中,喷墨打印技术,由于较高的材料利用率,可作为大尺寸OLED的量产方式。
目前喷墨打印工艺中,由于像素限定层的亲水特性,墨滴在干燥过程中会沿着PDL边缘攀爬,形成一个边缘厚,中间薄的不均匀膜,这会影响EL的出光效果,从而影响显示器件的寿命。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提供一种改善喷墨打印所形成的有机功能层均一性的阵列基板及其制备方法、显示装置。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板的制备方法,包括:形成像素限定层的步骤,其中,所述形成像素限定层的步骤,包括:
在基底上形成第一材料层;所述第一材料层至少包括靠近所述基底侧的亲水材料层;
通过构图工艺形成具有容纳部的第一膜层;其中,所述容纳部贯穿所述第一材料层;所述第一膜层包括亲水层;
在所述第一膜层上形成第二膜层,所述第二膜层至少位于所述容纳部侧边上,且与所述容纳部的底部所在平面之间设置有预定距离,并与所述亲水层接触;
其中,所述第二膜层的材料包括疏水材料。
优选的是,所述预定距离为所述亲水层厚度的10%-60%。
优选的是,所述在基底上形成第一材料层的步骤,具体包括:
将疏水材料和亲水材料混合,形成混合材料;
将所述混合材料涂敷在所述基底上,并对所述混合材料进行烘干,形成远离所述基底侧的疏水材料层,以及靠近所述基底侧的亲水材料层。
进一步优选的是,所述疏水材料层靠近所述基底的一侧到所所述容纳部的底部所在平面的距离为第一距离,所述第一距离大于所述预定距离。
优选的是,所述在所述第一膜层上形成第二膜层的步骤,包括:
通过自组装的方式,在所述容纳部的侧边上形成疏水型纳米球,以形成所述第二膜层。
进一步优选的是,所述第二膜层还覆盖所述第一膜层远离所述基底一侧的面。
优选的是,所述在所述第一膜层上形成第二膜层的步骤,包括:
在所述第一膜层上形成Si纳米粒子;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的