[发明专利]一种避免腔体内部生成物堆积的装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造领域，且特别涉及一种避免腔体内部生成物堆积的装置。

背景技术

当在应用材料单晶硅长晶设备的腔体内部生长一定厚度的单晶硅薄膜后，就需要通过清洗工艺对反应腔进行清洗以去除反应腔中的生成物，否则就容易在晶圆上形成缺陷。现有技术对反应腔的清洗方法是用氯化氢气体在1000摄氏度以上的高温下进行较长时间的清洗(清洗时间至少为30分钟)，如此可确保反应腔中特别是晶圆承载盘上的生成物被完全去除。

现有设备如图1所示，清洁程序使用氯化氢对腔体10进行清洁，清洁程度与温度成正比，在腔体进气口20出气口30处，由于腔体外壁冷却水40，及氯化氢气流的影响难以达到清洁程序温度要求。

发明内容

本发明提出一种避免腔体内部生成物堆积的装置，在进气口出气口处放置碳化硅材料的导热片，从而提高该区域的温度，促使氯化氢清洁效率提升。

为了达到上述目的，本发明提出一种避免腔体内部生成物堆积的装置，包括：

反应腔体；

进气口和出气口，分别设置于所述反应腔体两端；

冷却水管道，分别设置于所述进气口和出气口腔体外壁，

其中，所述进气口和出气口靠近反应腔体处分别设置有导热片，从而提高该区域的温度，促使清洁气体的清洁效率提升。

进一步的，所述反应腔体为应用材料单晶硅长晶设备反应腔体。

进一步的，所述清洁气体为氯化氢气体。

进一步的，所述导热片采用碳化硅材料的导热片。

进一步的，所述导热片的导热系数为大于等于50W/mK。

进一步的，所述导热片的导热系数为83.6W/mK。

本发明提出的避免腔体内部生成物堆积的装置，在进气口出气口处放置碳化硅材料的导热片，碳化硅材料具有良好的导热性，导热系数为83.6W/mK，相比较，腔体内其它二氧化硅部件导热系数仅为2.7W/mK，由此材料制成的导热片可以增加进气出气口的温度，使氯化氢气体清洁效率提高，从而降低维护频度，减少维护成本，减少设备停机时间。

附图说明

图1所示为现有技术中单晶硅长晶设备反应腔体结构示意图。

图2所示为本发明较佳实施例的避免腔体内部生成物堆积的装置结构示意图。

图3所示为导热片安装在原有腔体中的俯视示意图。

具体实施方式

以下结合附图给出本发明的具体实施方式，但本发明不限于以下的实施方式。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用于方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

请参考图2和图3，图2所示为本发明较佳实施例的避免腔体内部生成物堆积的装置结构示意图，图3所示为导热片安装在原有腔体中的俯视示意图。本发明提出一种避免腔体内部生成物堆积的装置，包括：反应腔体100；进气口200和出气口300，分别设置于所述反应腔体100两端；冷却水管道400，分别设置于所述进气口200和出气口300腔体外壁，其中，所述进气口200和出气口300靠近反应腔体100处分别设置有导热片500，从而提高该区域的温度，促使清洁气体的清洁效率提升。

根据本发明较佳实施例，所述反应腔体100为应用材料单晶硅长晶设备反应腔体。所述清洁气体为氯化氢气体。

所述导热片500采用碳化硅材料的导热片。进一步的，所述导热片的导热系数为大于等于50W/mK。根据本发明较佳实施例，所述导热片的导热系数为83.6W/mK。

综上所述，本发明提出的避免腔体内部生成物堆积的装置，在进气口出气口处放置碳化硅材料的导热片，碳化硅材料具有良好的导热性，导热系数为83.6W/mK，相比较，腔体内其它二氧化硅部件导热系数仅为2.7W/mK，由此材料制成的导热片可以增加进气出气口的温度，使氯化氢气体清洁效率提高，从而降低维护频度，减少维护成本，减少设备停机时间。

虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。