[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

在制造半导体器件的方法中，在下面的结构上方形成层间介电(ILD)层。下面的结构包括栅极结构(每个均具有金属栅极和设置在金属栅极上方的覆盖绝缘层)、设置在两个邻近的栅极结构之间的源极/漏极外延层以及覆盖源极/漏极外延层的蚀刻停止层(ESL)。通过蚀刻在ILD层中形成开口。在开口中形成介电填充层。通过使用湿蚀刻，去除设置在源极/漏极外延层之上的ILD层。去除设置在源极/漏极外延层上的ESL，从而至少部分地暴露源极/漏极外延层。在暴露的源极/漏极外延层上方形成导电材料。本发明的实施例还涉及半导体器件。

技术领域

本发明涉及用于制造半导体器件的方法，并且更具体地，涉及用于栅极、源极/漏极区域和/或衬底上方的导电层的结构和制造方法。

背景技术

随着半导体器件尺寸的减小，导电层之间的分离或绝缘变得更加重要，同时降低电阻(例如，接触电阻)变得更加重要。

发明内容

本发明的实施例提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在下面的结构上方形成层间介电(ILD)层，所述下面的结构包括：栅极结构，每个均具有金属栅极和设置在所述金属栅极上方的覆盖绝缘层；源极/漏极外延层，设置在两个邻近的所述栅极结构之间；和蚀刻停止层(ESL)，覆盖所述源极/漏极外延层；通过蚀刻在所述层间介电层中形成开口；在所述开口中形成介电填充层；通过使用湿蚀刻，去除设置在所述源极/漏极外延层之上的所述层间介电层；去除设置在所述源极/漏极外延层上的所述蚀刻停止层，从而至少部分地暴露所述源极/漏极外延层；以及在暴露的源极/漏极外延层上方形成导电材料。

本发明的另一实施例提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在下面的结构上方形成层间介电(ILD)层，所述下面的结构包括：第一栅极结构至第四栅极结构，每个均具有金属栅极、设置在所述金属栅极的相对侧上的侧壁间隔件以及设置在所述金属栅极上方的覆盖绝缘层，所述第一栅极结构至所述第四栅极结构沿着第一方向以这种顺序布置；第一源极/漏极(S/D)外延层和第二源极/漏极外延层，两个均设置在第二栅极结构和第三栅极结构之间；和蚀刻停止层(ESL)，覆盖所述第一源极/漏极外延层和所述第二源极/漏极外延层；通过蚀刻在包括所述第一源极/漏极外延层和所述第二源极/漏极外延层之间的区域的区上方的所述层间介电层中形成第一开口；在所述第一开口中形成介电填充层；通过使用湿蚀刻，去除设置在所述第一源极/漏极外延层和所述第二源极/漏极外延层之上的所述层间介电层，从而分别形成第二开口和第三开口，并且去除设置在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间的所述层间介电层，从而形成第四开口；去除设置在所述第一源极/漏极外延层和所述第二源极/漏极外延层上的所述蚀刻停止层，从而至少部分地暴露所述第一源极/漏极外延层和所述第二源极/漏极外延层；以及在暴露的所述第一源极/漏极外延层和所述第二源极/漏极外延层上方形成导电材料，从而在所述第一源极/漏极外延层上形成第一源极/漏极接触件并且在所述第二源极/漏极外延层上形成第二源极/漏极接触件，并且从而在所述第四开口中形成接触条。

本发明的又一实施例提供了一种半导体器件，包括：隔离绝缘层；鳍结构，突出于所述隔离绝缘层；栅极结构，每个均具有金属栅极和设置在所述金属栅极上方的覆盖绝缘层；第一源极/漏极外延层和第二源极/漏极外延层，设置在两个邻近的所述栅极结构之间；第一导电接触件和第二导电接触件，所述第一导电接触件设置在所述第一源极/漏极外延层上，并且所述第二导电接触件设置在所述第二源极/漏极外延层上；分离隔离区域，设置在所述第一导电接触件和所述第二导电接触件之间；以及绝缘层，设置在所述分离隔离区域和所述隔离绝缘层之间，其中，所述分离隔离区域由与所述绝缘层不同的材料制成。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制并且仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1A示出了根据本发明的实施例的半导体器件的平面图，图1B示出了根据本发明的实施例的半导体器件的栅极结构的截面图，并且图1C示出了根据本发明的实施例的半导体器件的立体图。