[发明专利]一种提高两片式框架封装定位精度的制造方法在审
申请号: | 201710965025.9 | 申请日: | 2017-10-17 |
公开(公告)号: | CN107785276A | 公开(公告)日: | 2018-03-09 |
发明(设计)人: | 李成军;薛志祥;姚霜霜 | 申请(专利权)人: | 江苏捷捷微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人: | 卢海洋 |
地址: | 226200 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 两片式 框架 封装 定位 精度 制造 方法 | ||
1.一种提高两片式框架封装定位精度的制造方法,包括以下步骤:
a、将下框架(15)定位在石墨治具上;
b、在下框架(15)的载片台上涂覆适量的焊锡膏;
c、将芯片贴装于下框架(15)的载片台上;
d、在上框架(14)的载片台上涂覆适量的锡膏;
e、将上框架(14)覆盖在下框架(15)上,用定位针(13)穿过焊接步骤定位圆孔组(11)和焊接步骤定位长孔组(12)对准定位;
f、对合在一起的上下框架进行高温焊接;
g、用定位针(13)穿过包封步骤定位圆孔组(9)、包封步骤定位长孔组(10)进行树脂包封定位;
h、对高温焊接并再次定位好后的框架进行树脂包封;
i、对树脂包封后的框架进行切筋成型。
2.按照权利要求1所述的一种提高两片式框架封装定位精度的制造方法,其特征在于:所述焊接步骤定位圆孔组(11)和焊接步骤定位长孔组(12)的上下定位孔等径。
3.按照权利要求1所述的一种提高两片式框架封装定位精度的制造方法,其特征在于:所述包封步骤定位圆孔组(9)和包封步骤定位长孔组(10)的上下定位孔不等径。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造