[发明专利]电致发光层及其制备方法、电致发光器件、显示和照明装置

说明书

本发明涉及一种电致发光层及制备方法、电致发光器件、显示和照明装置，其中电致发光层包括纳米晶体半导体材料和Ag配合物发光材料，所述Ag配合物发光材料是发光波长为380nm～780nm的一价银配位化合物发光材料，且所述Ag配合物发光材料的峰值发射波长小于所述纳米晶体半导体材料的峰值发射波长。所述Ag配合物适于收集未被纳米晶体半导体材料俘获的空穴并形成复合激子，并将能量有效地传递给纳米晶体半导体材料，可以维持载流子平衡，提高电致发光层和含有该电致发光层的电致发光器件的寿命。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种电致发光层及其制备方法、电致发光器件、显示和照明装置。

背景技术

纳米晶体半导体材料，又称纳米晶，由有限数目的原子组成，具有显著的量子限域效应。纳米晶体半导体材料受到光或电的激发，会发出半峰宽很窄的光谱(通常半峰宽小于40nm)，发光具有光色纯度高、发光量子效率高、性能稳定等特点。纳米晶体半导体材料由于其发光效率高，发光颜色可控，以及色纯度高等优点，在下一代显示技术中具有巨大的应用潜力。

以纳米晶体半导体材料制作的电致发光器件作为一种新兴的发光器件，近年来受到了广泛的关注。由于量子限域效应的特征，以纳米晶体半导体材料制备的电致发光二极管，也被称为QLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes)。与传统的有机发光二极管(OLED)相比，QLED具有更加优异的色纯度、亮度和可视角等特点。

然而，由于纳米晶体半导体材料的HOMO(最高占有轨道)和LUMO(最低未占有轨道)都较深，导致空穴、电子注入发光层的效率差异巨大，电子远远多于空穴，导致发光层中载流子浓度的不平衡，从而使QLED器件寿命偏低。

发明内容

基于此，有必要针对QLED器件寿命偏低的问题，提供一种电致发光层。

一种电致发光层，包括纳米晶体半导体材料和Ag配合物发光材料，其中，所述Ag配合物发光材料是发光波长为380nm～780nm的一价银配位化合物发光材料，所述Ag配合物发光材料的峰值发射波长小于所述纳米晶体半导体材料的峰值发射波长。

上述电致发光层，通过引入Ag配合物发光材料，所述Ag配合物发光材料适于收集未被纳米半导体晶材料俘获的空穴，并与电子复合形成激子，使电致发光层中的空穴和电子数量维持平衡；同时，在Ag配合物发光材料和纳米晶体半导体材料匹配的情况下，由于Ag配合物发光材料的峰值发射波长短于纳米晶体半导体材料的峰值发射波长，所以Ag配合物发光材料的激发能量大于纳米晶体半导体材料的激发能量，且Ag配合物发光材料的激发态寿命在微秒量级，相对于纳米晶体半导体材料(激发态寿命在纳秒量级)具有更长的激发态寿命，复合形成激子的能量可以相对缓慢地释放，并以FRET方式有效传递给作为能量受体材料的纳米晶体半导体材料，纳米晶体半导体材料接受来自Ag配合物的激发态能量而发光；而且，Ag配合物发光材料还可以获得较高的光致发光量子效率。因此，采用上述电致发光层的电致发光器件，由于电致发光层可以俘获空穴而优化空穴的注入情况，有助于维持载流子的平衡，减少电致发光器件的漏电流，从而提高器件的使用寿命和电流效率；还可以将原本由于空穴逃逸而损失的能量由Ag配合物发光材料收集起来并传递给纳米晶体半导体材料，可有效提高器件的发光效率。

在其中一个实施例中，所述Ag配合物发光材料的配体为卤族元素及以P或/和S为配位基的单齿或多齿配体配体的组合，或以P或/和S为配位基的单齿或多齿配体。

在其中一个实施例中，所述以P或/和S为配位基的单齿或多齿配体为芳基膦、硫苯酚、硫醇和邻菲罗啉中的一种或多种。

优选的，所述Ag配合物发光材料选自Ag₂Cl₂(dppb)₂、[Ag(PPh₃)Cl]₂(tpbz)和Ag(PP)(PS)中的至少一种，它们的结构式如下所示：