[发明专利]具有动态偏置的射频开关设备

说明书

本公开提供一种具有动态偏置的射频开关设备，所述射频开关设备包括：射频开关、动态偏置电路和开关控制电路。所述射频开关包括连接于第一信号端子和输入端子之间的第一射频开关电路。所述第一射频开关电路包括串联开关和分路开关。所述动态偏置电路被配置为使用电池电压产生比所述电池电压低预定电压的偏置电压和缓冲电压，并且被配置为向连接至所述输入端子的信号线提供所述偏置电压。所述开关控制电路被配置为基于带选择信号使用所述电池电压和所述缓冲电压产生第一栅极电压和第二栅极电压，以开关所述第一射频开关电路。

本申请要求于2016年11月18日提交到韩国知识产权局的第10-2016-0154236号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。

技术领域

本公开涉及一种具有动态偏置的射频开关设备。

背景技术

由于功率放大器模块的复杂性的逐渐增大，绝缘体上硅(SOI)互补金属氧化物半导体(CMOS)开关基于射频(RF)性能和更高程度的集成已变为相对于传统的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)开关的有竞争力的方案。

此外，尽管体CMOS在集成的程度和成本方面是有竞争力的方案，但是它基本上使用有损耗的基板，因此在插入损耗或隔离度以及功率处理能力(P1dB)方面不会是最优选择。另一方面，SOI CMOS工艺可以以比体工艺的成本低的成本实现满意的性能，并且可认为是在RF开关处理中的最优选。

迄今为止，由SOI CMOS工艺制造的RF开关集成电路(IC)使用浮置栅极/体法、负偏置法、堆叠场效应晶体管(FET)法等，以满足对高的功率处理能力、插入损耗的减小以及谐波特性的要求。

在现有的射频开关中使用的负电压产生电路可包括具有缓冲器的振荡器、产生负电压的电荷泵和低通滤波器。

电荷泵从振荡器(OSC)接收差分时钟并产生负电压，所产生负电压作为带选择开关(BSSW)电路的驱动器或缓冲器的输入，以接通/断开带选择开关(BSSW)。

由负电压产生电路产生的负电压用作使RF开关集成电路的开关元件断开的栅极电压。RF开关集成电路包括串联开关和分路开关，并且串联开关和分路开关两者根据输入信号的大小和所需要的性能包括一个或更多个晶体管或电阻器。

如上所述，RF开关集成电路使用负偏置方法以满足对高的功率处理能力、减小的插入损耗和谐波特性的要求，并且当断开开关时向断开开关的栅极施加由负电压产生电路产生的负电压，引起特性的改善。

然而，使用负电压的现有的RF开关集成电路具有诸如杂散辐射和延长的接通时间的问题。

发明内容

提供本发明内容以按照简化的形式对所选择的构思进行介绍，下面在具体实施方式中进一步描述所述构思。本发明内容既不意在限定所要求保护的主题的主要特征或必要特征，也不意在帮助确定所要求保护的主题的范围。

在一个总体方面，一种射频开关设备包括射频开关、动态偏置电路和开关控制电路。所述射频开关包括连接于第一信号端子和输入端子之间的第一射频开关电路。所述第一射频开关电路包括串联开关和分路开关。所述动态偏置电路被配置为使用电池电压产生比所述电池电压低预定电压的偏置电压和缓冲电压，并且向连接至所述输入端子的信号线提供所述偏置电压。所述开关控制电路被配置为基于带选择信号使用所述电池电压和所述缓冲电压产生用于开关所述第一射频开关电路的第一栅极电压和第二栅极电压。

所述开关控制电路可被配置为基于所述带选择信号使用所述电池电压和所述缓冲电压产生第一体电压和第二体电压，以开关所述第一射频开关电路。

所述动态偏置电路可使用所述电池电压和参考电压之间的电压差产生所述偏置电压，并且使用所述偏置电压产生所述缓冲电压。