[发明专利]阻抗电路

说明书

本发明提供了一种阻抗电路，阻抗电路包括多晶硅电阻器和控制器，多晶硅电阻器具有第一端子和第二端子，控制器提供第一控制电压和第二控制电压，其中该多晶硅电阻器的第一端子和第二端子之间的电阻值根据该第一控制电压和该第二控制电压确定，该第二控制电压不同于该第一控制电压。本发明提出的阻抗电路可以消除多晶硅电阻器的损耗效应，并使得多晶硅电阻器更加线性和更遵循欧姆定律。

技术领域

本发明涉及阻抗电路，特别是涉及阻抗电路以及阻抗电路中的多晶硅电阻器(poly-resistor)。

背景技术

多晶硅电阻器的特征是片电阻(sheet resistance)值。为了减少芯片尺寸，通常使用高片电阻值的多晶硅电阻器，并且高片电阻值的多晶硅电阻器可以制造在较小的面积中，它们广泛用于各种集成电路。

然而，损耗效应(depletion effect)是以多晶硅作为栅极材料的器件的阈值电压出现不期望的变化，在电子电路中导致不可预知的行为。造成多晶硅电阻器的严重的非线性。因此，需要新颖的解决方案来抑制多晶硅电阻器中不理想的损耗效应。

发明内容

本发明提供一种阻抗电路，以解决上述问题。

本发明提供了一种阻抗电路，包括：多晶硅电阻器，具有第一端子和第二端子；以及控制器，提供第一控制电压和第二控制电压，其中该多晶硅电阻器的第一端子和第二端子之间的电阻值根据该第一控制电压和该第二控制电压确定；其中该第二控制电压不同于该第一控制电压。

本发明提出的阻抗电路可以消除多晶硅电阻器的损耗效应，并使得多晶硅电阻器更加线性和更遵循欧姆定律。

在结合附图阅读本发明的实施例的以下详细描述之后，本发明的各种目的、特征和优点将是显而易见的。然而，这里使用的附图仅以解释说明为目的，而不应被视为本发明的限制。

附图说明

在浏览了下文的具体实施方式和相应的附图后，本领域技术人员将更容易理解上述本发明的目的和优点。

图1是根据本发明的实施方式的阻抗电路100的示意图。

图2是根据本发明的实施方式的多晶硅电阻器210的示意图。

图3是根据本发明的实施方式的多晶硅电阻器310的示意图。

图4是根据本发明的实施方式的多晶硅电阻器410的示意图。

图5A是根据本发明的实施方式的阻抗电路500A的示意图。

图5B是根据本发明的另一实施方式的阻抗电路500B的示意图。

图6A是根据本发明的实施方式的差分或伪差分放大器600A的示意图。

图6B是根据本发明的实施方式的差分或伪差分放大器600B的示意图。

图6C是根据本发明的实施方式的差分或伪差分放大器600C的示意图。

图6D是根据本发明的实施方式的差分或伪差分放大器600D的示意图。

图7A是根据本发明的实施方式的差分至单端的放大器700A的示意图。

图7B是根据本发明的实施方式的差分至单端的放大器700B的示意图。

图7C是根据本发明的实施方式的差分至单端的放大器700C的示意图。

图7D是根据本发明的实施方式的差分至单端的放大器700D的示意图。

图8A是根据本发明的实施方式的反相放大器800A的示意图。

图8B是根据本发明的实施方式的反相放大器800B的示意图。