[发明专利]阻抗电路

权利要求书

1.一种放大器，包括：

第一运算放大器；

多晶硅电阻器，具有第一端子和第二端子，其中该多晶硅电阻器的该第一端子和该第二端子耦接到该第一运算放大器的输出端，该多晶硅电阻器包括串联耦接的多个子多晶硅电阻器，每个子多晶硅电阻器具有相应的第一控制端子和第二控制端子；以及

控制器，提供第一控制电压和第二控制电压至多个子多晶硅电阻器的相应的第一控制端子和第二控制端子；以及

第二运算放大器，该第二运算放大器从连接在该多个子多晶硅电阻器的相应子多晶硅电阻器之间的端子处接收内部电压，

其中该多晶硅电阻器的第一端子和第二端子之间的电阻值根据该第一控制电压和该第二控制电压确定；

其中该第二控制电压不同于该第一控制电压。

2.如权利要求1所述的放大器，其特征在于，该多晶硅电阻器包括：

多晶硅层，具有第一端和第二端，其中该多晶硅层的第一端耦接到该多晶硅电阻器的第一端子，该多晶硅层的第二端耦接到该多晶硅电阻器的第二端子；

通道层，具有第一端和第二端，其中该通道层的第一端被设置为接收该第一控制电压，该通道层的第二端被设置为接收该第二控制电压；以及

绝缘层，设置在该多晶硅层和该通道层之间。

3.如权利要求2所述的放大器，其特征在于，该通道层的第一端靠近该多晶硅层的第一端，以及该通道层的第二端靠近该多晶硅层的第二端。

4.如权利要求2所述的放大器，其特征在于，该通道层是导电层、半导体层或者另一多晶硅层。

5.如权利要求2所述的放大器，其特征在于，该通道层是N型阱，该通道层的第一端和该通道层的第二端是N+掺杂区域；或者该通道层是P型阱，该通道层的第一端和该通道层的第二端是P+掺杂区域。

6.如权利要求2所述的放大器，其特征在于，该绝缘层是二氧化硅层、场氧化层或浅沟槽隔离层。

7.如权利要求1所述的放大器，其特征在于，该第一控制电压和该第二控制电压是动态的。

8.如权利要求1所述的放大器，其特征在于，其中该第一控制电压和该第二控制电压是根据相应子多晶硅电阻器的第一端子处的第一电压和第二端子处的第二电压确定的。

9.如权利要求8所述的放大器，其特征在于，该第一控制电压和该第二控制电压均是该第一电压和该第二电压的线性函数。

10.如权利要求8所述的放大器，其特征在于，该第一控制电压基本上等于该第一电压，该第二控制电压基本上等于该第二电压。

11.如权利要求1所述的放大器，其特征在于，该多晶硅电阻器是反馈电阻器或共模反馈电阻器。

12.如权利要求1所述的放大器，其特征在于，该多晶硅电阻器用于差分或伪差分放大器、差分至单端的放大器或者反相放大器。