[发明专利]南瓜砧木去除嫁接黄瓜表面蜡粉性状的分子标记及应用

说明书

本发明属于植物分子标记制备技术领域，具体涉及一种与南瓜砧木去除嫁接黄瓜表面蜡粉性状相关的SNP分子标记的制备与应用，从南瓜砧木中克隆获得与蜡粉形成相关的硅转运蛋白CmLsi1基因片段，核苷酸序列如序列表SEQ ID NO：1所示，在SEQ ID NO：1的第360bp处有一个C/T的碱基突变，导致PCR‑RFLP‑HinP1Ⅰ多态性。本发明公开了CmLsi1基因片段的多态性在南瓜砧木去除嫁接黄瓜表面蜡粉检测中的应用，为南瓜砧木去除黄瓜蜡粉性状标记辅助选择提供了新的分子标记。

技术领域

本发明属于植物分子标记制备技术领域，具体涉及一种与南瓜砧木去除嫁接黄瓜表面蜡粉性状相关的SNP分子标记的制备与应用。

背景技术

果实表面蜡粉是黄瓜的重要商品性状之一。近年来，优质、少蜡粉的黄瓜越来越受消费者的欢迎。研究表明，黄瓜果实蜡粉的形成与硅吸收有一定关系，根系吸收硅能力的越强，可能会导致蜡粉形成的越多(Namiki Mitani，2011)。研究人员将将黄瓜嫁接到去蜡粉的砧木上，发现极少蜡粉砧木嫁接的黄瓜根、茎、叶、果实中硅含量少于多蜡粉砧木嫁接黄瓜和自根黄瓜，尤其以叶片与果实中硅含量差异显著。硅在黄瓜果实发育过程中含量呈先升高后降低的变化趋势，花后1～3天的幼果中硅含量最高，商品成熟果实果皮中硅含量明显高于果肉。由此可知将黄瓜嫁接到去蜡粉的砧木上，可以减少嫁接黄瓜表面的蜡粉。因此筛选合适的砧木是非常关键的。

作物对硅(Si)的吸收主要是通过根系细胞中硅转运蛋白介导的。有蜡粉南瓜砧木硅转运蛋白(Lsi1)定位在质膜上，无蜡粉南瓜砧木Lsi1保留在内质网上，揭示了保留在内质网上Lsi1未折叠或装配不当。因此，来自蜡粉南瓜砧木Lsi1可以转运Si，而无蜡粉南瓜砧木 Lsi1不能转运硅。两种类型南瓜砧木的Lsi1，仅将242处的脯氨酸改变为亮氨酸导致Si转运活性的丧失。在南瓜育种过程中，将携带这种Lsi1突变标记的南瓜进行繁殖，培育后代，克隆获得后代中的Lsi1基因，研究其多态性；研究Lsi1基因标记的遗传规律及其南瓜砧木去除黄瓜表面蜡粉性状的关系，从中筛选出含Lsi1基因的标记。在传统南瓜砧木育种和生产中，在成熟期才能够判断蜡粉性状，不仅选育周期长，而且占地面积大，不能满足现代农业的快速发展需求，亟需一种既育种时间短，占地面积小，省时省力的育种方法。

发明内容

为了解决现有技术存在的去蜡粉南瓜砧木筛选方式时间长，占地面积大的问题，本发明提供一种与南瓜砧木去除嫁接黄瓜表面蜡粉性状相关的单核苷酸多态性(SNP)分子标记，本发明还提供与南瓜砧木去除嫁接黄瓜表面蜡粉性状相关的SNP分子标记在南瓜砧木育种中的应用，采用本发明的技术在苗期就可以判断南瓜砧木去除嫁接黄瓜蜡粉性状，大大节省了育种时间和占地面积。

为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种与南瓜砧木去除嫁接黄瓜表面蜡粉性状相关的SNP分子标记，其核苷酸序列如SEQ ID NO.1所示，即下述序列所示，且第360位的碱基是C或T，导致去黄瓜蜡粉和不去黄瓜蜡粉的多态性；

ATGAGTTCTTCTCAGGATCCTCAGCTTGTTCAACAACAATCCGTTGTGGATGTTGAA GAATTCGTCTCCGTTGAAAACCCCGATTCCAAACGCTCCCAGTTTGGATCGTTGTTCAA AAACCATTACCCTCCTGGCTTTTCCCGGAAGGTACTGTCCTGACCATTATTACTATGTTTC GACAAAACAAAGCCAATTTGAGTATAATTCAGCAGATTAACAGACGTGTTTTGTGTTTTG TGTTTTTTCTTTTATTTTTTTTATTTTTTTTATTTTTTTATTGTAGCTTGTGGCGGAGGTGAT TGCGACGTATTTGCTAGTGTTTGTAACGTGTGGGGCGGCGGCATTGAACGGGAGCGATG YGCAAAGAGTGTCGCAGCTTGGTGCCTCGGTTGCCGGTGGCCTTATTGTGACGGTGATG ATTTATGC