[发明专利]检查用晶片和检查用晶片的使用方法有效
申请号: | 201710939785.2 | 申请日: | 2017-10-11 |
公开(公告)号: | CN107958847B | 公开(公告)日: | 2023-06-09 |
发明(设计)人: | 崔星一;伊贺勇人 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帅;乔婉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检查 晶片 使用方法 | ||
提供检查用晶片和检查用晶片的使用方法,既能够抑制在激光加工时漏光对器件的影响,又能够找出能够对晶片进行良好地分割的加工条件。在通过激光加工在晶片(W)的内部形成改质层(M)的激光加工装置(1)中,代替晶片而使用该检查用晶片(WA),其用于对激光加工时的漏光进行检查,其中,该检查用晶片(WA)具有:检查用基板(41);基底层(42),其按照规定的厚度形成在检查用基板的整个正面上;以及金属箔(43),其层叠在基底层上,基底层的厚度形成为漏光对晶片的器件和检查用晶片的金属箔的影响一致。
技术领域
本发明涉及在激光加工装置中使用的检查用晶片和检查用晶片的使用方法。
背景技术
作为晶片的分割方法,公知有沿着分割预定线在晶片的基板的内部形成改质层然后以改质层为起点对晶片进行分割的方法(例如,参照专利文献1)。在专利文献1所记载的分割方法中,从晶片的背面侧照射对于晶片具有透过性的波长的激光光线,沿着分割预定线在晶片的内部形成改质层。并且,通过切割或扩展对晶片施加外力,从而以强度降低的改质层为分割起点将晶片分割成各个器件芯片。
专利文献1:日本特许第3408805号公报
但是,通常从晶片的背面侧照射的激光光线会聚在器件附近,无助于改质层的形成的激光光线会从聚光点朝向晶片的正面侧的器件扩散。由于来自该聚光点的激光光线的漏光照射到器件上,所以产生器件受热而破损的不良情况。另一方面,能够通过降低激光光线的输出或使聚光点的位置远离器件来抑制漏光对器件的影响,但存在很难以改质层为起点对晶片进行分割的问题。
发明内容
本发明是鉴于该点而完成的,其目的之一在于,提供检查用晶片和检查用晶片的使用方法,既能够抑制激光加工时漏光对器件的影响,又能够找出能够对晶片进行良好地分割的加工条件。
本发明的一个方式的检查用晶片检查用晶片使用在如下的激光加工装置中,该激光加工装置从在正面上由分割预定线划分而形成有多个器件的晶片的背面对构成晶片的基板照射透过性波长的激光光线,使该激光光线会聚在基板的内部而沿着分割预定线在基板的内部形成改质层,该激光光线会聚于该检查用晶片,该检查用晶片对无助于形成该改质层的激光光线从该改质层对器件造成影响的漏光进行检查,其中,该检查用晶片包含:检查用基板;基底层,其按照规定的厚度形成在该检查用基板的整个正面上;以及金属箔,其层叠在该基底层上,该基底层形成为该金属箔能够只检测出对器件造成影响的漏光的厚度。
根据该结构,能够通过检查用晶片的基底层的厚度来使激光光线的漏光对晶片的器件的影响和激光光线的漏光对检查用晶片的金属箔的影响一致。因此,对器件无影响的漏光不会被金属箔检测到,只有对器件有影响的漏光才会被金属箔检测到。通过使用检查用晶片来代替晶片,既能够抑制漏光对器件的影响,又能够找出在晶片的激光加工中最佳的加工条件。因此,不会浪费作为产品的晶片,能够使用检查用晶片找出最佳的加工条件。
本发明的一个方式的检查用晶片的使用方法是上述的检查用晶片的使用方法,其中,该检查用晶片的使用方法具有如下的工序:改质层形成工序,从该检查用晶片的背面对该检查用基板照射透过性波长的激光光线,使会聚在该检查用基板的内部的聚光点在该检查用晶片的面方向上呈直线移动而形成一条直线的改质层;宽度测量工序,在该改质层形成工序之后,对该检查用晶片的该金属箔进行拍摄,对表现在该金属箔的正面上的产生了金属箔变形的最大宽度进行测量;以及调整工序,对激光光线进行调整以使通过该宽度测量工序测量出的金属箔变形的最大宽度处于分割预定线的宽度之内。
根据本发明,通过使用利用金属箔能够仅检测到对器件造成影响的漏光的检查用晶片,既能够抑制激光光线的漏光对器件的影响,又能够找出可以对晶片进行良好地分割的加工条件。
附图说明
图1是本实施方式的激光加工装置的立体图。
图2的(A)和(B)是比较例的激光加工的加工条件的设定方法的说明图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造