[发明专利]半导体离子能发电方法

权利要求书

1.一种半导体离子能发电方法，其特征在于，在容器(1)内置入离子液体(2)，然后向离子液体(2)内置入至少一组发电单元，各发电单元通过隔墙(18)分隔，所述发电单元包括至少一对成对设置的P型半导体片(3)和N型半导体片(4)，P型半导体片(3)和N型半导体片(4)的电场与离子液体(2)内的离子电场相互作用，离子液体(2)中带正电荷的离子在电场作用下流向N型半导体片(4)，离子液体(2)中带负电荷的离子在电场作用下流向P型半导体片(3)，分别由P型半导体片(3)和N型半导体片(4)接出导电端。

2.根据权利要求1所述的半导体离子能发电方法，其特征在于，所述P型半导体片(3)和N型半导体片(4)平行置于离子液体(2)内。

3.根据权利要求1所述的半导体离子能发电方法，其特征在于，所述发电单元包括多对P型半导体片(3)和N型半导体片(4)，所述P型半导体片(3)并联，所述N型半导体片(4)并联。

4.根据权利要求1、2或3所述的半导体离子能发电方法，其特征在于，所述P型半导体片(3)包括两层，两层P型半导体片(3)分别固定在导电基材(7)的两个侧面上，导电基材(7)上设置极柱(8)。

5.根据权利要求4所述的半导体离子能发电方法，其特征在于，所述P型半导体片(3)包括多片P型半导体单元片(15)，P型半导体单元片(15)通过导电胶(14)粘接在导电基材(7)上，P型半导体单元片(15)之间的空隙填充绝缘密封胶(13)，导电基材(7)对离子液体(2)裸露部分涂覆绝缘密封胶(13)。

6.根据权利要求1所述的半导体离子能发电方法，其特征在于，所述P型半导体片(3)替换为活泼金属片(10)。

7.根据权利要求1所述的半导体离子能发电方法，其特征在于，所述N型半导体片(4)替换为非活泼金属片(11)。

8.一种半导体离子能发电方法，其特征在于，在容器(1)内置入离子液体(2)，然后向离子液体(2)内置入至少一组发电单元，各发电单元通过隔墙(18)分隔，所述发电单元包括至少一片PN结半导体片(12)，离子液体(2)中的正负离子受到PN结半导体片(12)的电场作用，PN结半导体片(12)的P区(21)大量空穴吸收离子液体(2)中的负离子，PN结半导体片(12)的N区(22)大量电子吸收离子液体(2)中的正离子，PN结的耗尽区打开并趋于饱和，由PN结半导体片(12)的P区(21)和N区(22)分别引出导电端。

9.根据权利要求8所述的半导体离子能发电方法，其特征在于，发电单元的多个PN结半导体片(12)之间设置隔板(9)，多个PN结半导体片(12)的P区(21)并联，多个PN结半导体片(12)的N区(22)并联。

10.根据权利要求8所述的半导体离子能发电方法，其特征在于，所述PN结半导体片(12)包括两层，两层PN结半导体片(12)分别固定在导电基材(7)的两个侧面上，所述导电基材(7)两个侧面顶部分别对应PN结半导体片(12)的P区(21)和N区(22)设置极柱(8)。