[发明专利]温度控制装置、温度控制方法以及载置台有效
申请号: | 201710935336.0 | 申请日: | 2017-10-10 |
公开(公告)号: | CN107919301B | 公开(公告)日: | 2022-05-17 |
发明(设计)人: | 小泉克之;金子健吾 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01J37/32 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 温度 控制 装置 方法 以及 载置台 | ||
提供一种温度控制装置、温度控制方法以及载置台。在加热器发生了断线的情况下也将被处理基板的温度控制的精度维持为高精度。基板处理装置具备静电卡盘、控制部以及多个加热器。静电卡盘的内部的各分割区域分别嵌入有多个加热器。在各分割区域中被嵌入的多个加热器并联连接。控制部针对每个分割区域,基于流过被嵌入到分割区域的多个加热器的电流的合计值来判定被嵌入到每个分割区域的加热器的一部分有无断线。然后,控制部在判定为被嵌入到分割区域的加热器的一部分发生了断线的情况下进行控制,以使得流过被嵌入到加热器的一部分发生了断线的分割区域内的每一个加热器的电流比流过所有加热器都没有发生断线的分割区域内的每一个加热器的电流多。
技术领域
本发明的各方面和实施方式涉及一种温度控制装置、温度控制方法以及载置台。
背景技术
在半导体的制造工艺中,作为被处理基板的半导体晶圆的温度是影响半导体的特性的重要的要素之一。因此,在制造工艺中,要求高精度地控制半导体晶圆的温度。为了实现该要求,例如考虑将用于载置半导体晶圆的载置台分割为多个区域,对分割所得到的各个区域设置能够独立控制的加热器。
另外,在制造工艺中,由于处理气体的温度、压力、高频电力的分布、处理气体的流动等原因,有时在半导体晶圆上局部地产生温度分布的偏差。为了抑制该情况,能够考虑将载置台的区域分割得更细,利用被嵌入到各个区域的加热器来独立地控制各区域的温度。
当载置台的区域的分割数增多时,各个区域的面积变小,被嵌入到各个区域的加热器的尺寸也变小。当加热器的尺寸变小时,为了产生规定的热量而使加热器变细。由此,加热器的断线风险增高。载置台的区域有时被分割为数百以上的区域,当其中一部分区域内的加热器发生断线时,要更换整个载置台,从而半导体的制造成本增加。
为了避免该情形,已知如下一种自动修正方法:在加热器的一部分发生了断线的情况下,通过控制其周边的加热器的热量,来由发生了断线的加热器周边的加热器补偿发生了断线的加热器应产生的热量(例如参照下述专利文献1)。
专利文献1:日本特开2016-6875号公报
发明内容
另外,在以往的自动修正方法中,在发生了断线的加热器与没有发生断线的加热器邻接的情况下,能够通过周边的加热器来补偿发生了断线的加热器应产生的热量。但是,在邻接的多个加热器发生了断线的情况下,有时发生了断线的加热器与没有发生断线的加热器不邻接。在这种情况下,难以通过周边的加热器来补偿发生了断线的加热器应产生的热量。
本发明的一个方面是一种温度控制装置,具备载置台、控制部以及多个加热器。载置台用于载置被处理基板。在载置台的内部的各个分割区域分别嵌入有多个加热器,该各个分割区域是将载置台的上表面分割为多个区域而得到的。控制部针对每个分割区域,基于流过被嵌入到分割区域的多个加热器的电流的合计值,来判定被嵌入到每个分割区域的加热器的一部分有无断线。另外,在各个分割区域中被嵌入的多个加热器并联连接。另外,控制部针对各个分割区域,在判定为被嵌入到该分割区域的加热器的一部分发生了断线的情况下进行控制,以使得流过被嵌入到加热器的一部分发生了断线的分割区域内的每一个加热器的电流比在所有加热器都没有发生断线的情况下流过每一个加热器的电流多。
根据本发明的各方面和实施方式,即使在加热器发生了断线的情况下也能够将被处理基板的温度控制的精度维持为高精度。
附图说明
图1是表示基板处理装置的一例的截面图。
图2是表示静电卡盘的上表面的一例的图。
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