[发明专利]一种在ITO表面进行化学镀铜镍合金的方法有效

专利信息
申请号: 201710930045.2 申请日: 2017-10-09
公开(公告)号: CN107557772B 公开(公告)日: 2019-06-04
发明(设计)人: 王杰然 申请(专利权)人: 福建省飞阳光电股份有限公司
主分类号: C23C18/48 分类号: C23C18/48;C23C18/18;C03C17/10
代理公司: 泉州君典专利代理事务所(普通合伙) 35239 代理人: 陈晓艳
地址: 351100 福*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 ito 表面 进行 化学 镀铜 镍合金 方法
【说明书】:

一种在ITO表面进行化学镀铜镍合金的方法,包括以下步骤:脱脂→微蚀→活化→还原处理→化学镀铜镍合金→烘烤除氢,活化:将经过微蚀处理的ITO玻璃置于钯活化剂中进行活化,活化后过水漂洗;化学镀铜镍合金:将经过还原处理的ITO玻璃置于PH=4‑5、皮膜应力为±0的化学镀液中进行化学镀铜镍合金,之后将已经化学镀铜镍合金的ITO玻璃过水漂洗,其中,化学镀液的成分包括:NiSO4·6H2O:20‑26g/L、CuSO4·5H2O:18‑22g/L、NaH2PO2·H2O:16‑20g/L、醋酸:27‑33g/L、丙酸:10‑14g/L、稳定剂:1.8‑2.2mg/L。

技术领域

本发明涉及化学金属镀层技术领域,具体涉及一种在ITO表面进行化学镀铜镍合金的方法。

背景技术

ITO薄膜是一种半导体材料,具有优异的光电特性和导电性,在触摸屏技术方面得到了广泛的应用。在电容式触摸屏玻璃基板表面进行ITO溅镀后,使其成为双面ITO,不在同一面的ITO膜需要通过其四边边缘的ITO导线连通,为了降低控制芯片输入阻抗限制,就必须降低边缘的ITO电阻,而在ITO连通导线上覆盖一层金属镍层用于大大降低其电阻。

化学镀镍又称无电解镀镍,其工艺是美国A.Brenner和G.Riddel于1946年在实验室研究成功的,已在工业中得到了广泛的应用。化学镀镍在触摸屏功能片的ITO连通到线上的应用较少,且存在以下问题,在化学镀镍的活化步骤中,现有技术采用PdCl2作为活化剂,会导致电极与电极之间不需镀镍的地方镀上导电物质,从而镀镍效果较差,中国专利文献CN 104445997 A公开了一种电容式触摸屏表面进行化学镀镍的方法,包括以下步骤:将ITO薄膜玻璃一次进行脱脂处理、蚀刻处理、活化处理、还原处理和化学镀镍,活化处理采用的活化剂按照如下的方法制备:将PdCl2、去离子水、浓盐酸混合,在50℃下加热,得到H2PdCl4溶液;向所述H2PdCl4溶液中加入二亚乙基三胺、氯化亚锡、氯化钾,在50℃下保持4h,蒸除溶剂后得到钯复合物;将钯复合物溶于N-甲基吡咯烷酮中得到钯复合物的NMP溶液,最后将钯复合物的NMP溶液与二乙二醇单乙醚、二缩水甘油醚丁烷混合,得活化剂,与现有技术相比,采用上述发明制备的活化剂进行活化,避免了在化学镀镍步骤中电极与电极之间不需镀处被镀上导电物质,从而保证了具有良好的镀镍效果,但是金属镍层降低的ITO连通导线的电阻小、导电力不强,有待进一步改进。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术的缺点,提供一种电阻小、导电力强的在ITO表面进行化学镀铜镍合金的方法。

本发明采用如下技术方案:

一种在ITO表面进行化学镀铜镍合金的方法,包括以下步骤:脱脂→微蚀→活化→还原处理→化学镀铜镍合金→烘烤除氢,

活化:将经过微蚀处理的ITO玻璃置于钯活化剂中进行活化,活化后过水漂洗,其中,活化剂按照如下方法制备:将PdCl2、去离子水、浓盐酸混合加热制得到H2PdCl4溶液;向所述H2PdCl4溶液中加入二亚乙基三胺、氯化亚锡、氯化钾,在45-55℃下保持3-5h,蒸除溶剂后得到钯复合物;将钯复合物溶于N-甲基吡咯烷酮中得到钯复合物的NMP溶液,最后将钯复合物的NMP溶液与二乙二醇单乙醚、二缩水甘油醚丁烷混合,得活化剂;

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