[发明专利]一种导电膜及其制备方法

权利要求书

1.一种导电膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，配置TiO₂胶体溶液，并将所述TiO₂胶体溶液均匀分散沉积在衬底表面，形成TiO₂胶体溶液层；所述TiO₂胶体溶液的配置包括以下步骤：S11，将0.5-2.0g TiO₂粉末加入10ml无水乙醇中，并持续搅拌10-30min使其均匀混合；S12，将步骤S11得到产物中加入1-5g稳定剂，得到所述TiO₂胶体溶液；所述衬底为柔性透明材料；

S2，调节真空气压为1*10^-3Pa，湿度为65％以下，以及温度为40～80摄氏度使所述TiO₂胶体溶液层中的溶剂挥发，使所述TiO₂胶体溶液层产生纵横交错的矩形裂纹，纵向和横向裂纹的平均宽度小于10μm；

S3，在裂纹沉积金属，形成多条纵横交错的金属导线；

S4，去除所述TiO₂胶体溶液层，得到所述导电膜。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤S1中，所述将TiO₂胶体溶液均匀分散沉积在衬底表面的步骤包括：

将所述TiO₂胶体溶液置于喷雾装置中，控制环境湿度为65％以下，调节气泵气压在0.1-0.5Mpa，空气流速为15-20L/min，控制所述喷雾装置的喷涂速率为100cm²/min，将所述TiO₂胶体溶液均匀喷射在所述衬底表面。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤S3中，所述在裂纹沉积金属的步骤包括：

S31，设置磁控溅射仪中的真空度为5x10^--5Pa，氩气流量为0.5Pa气压，溅射气压为0.3Pa，溅射功率为100W，金属靶距离衬底的距离为6cm；

S32，沉积束流垂直于衬底表面入射，且基台以30r/min速度旋转，通过磁控溅射将金属薄膜沉积至裂块表面与裂纹中间。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤S4中，所述去除所述TiO₂胶体溶液层的步骤包括：

通过机械振动去除所述TiO₂胶体溶液层。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述通过机械振动去除所述TiO₂胶体溶液层的步骤包括：

将步骤S3获得的产物浸没子去离子水中并超声处理5～15s。

6.一种导电膜，其特征在于，所述导电膜为通过权利要求1-5中任一项的方法获得。