[发明专利]四晶体模块自复位过流保护型P管输出高边驱动电路

权利要求书

1.一种四晶体模块自复位过流保护型P管输出高边驱动电路，其特征在于包括：第一、二、三、四晶体模块、反馈模块和延时模块，其中，

所述第一、二、三晶体模块各具有输入端、输出端和公共端，所述第一晶体模块还具有负极端，

所述第四晶体模块具有输入端、第二端和第三端，

所述反馈模块包括输入端和输出端，

所述延时模块包括输入端和输出端，延时模块内采用RC延时电路；

所述第一晶体模块的输出端和所述第二晶体模块输入端连接，所述第一晶体模块的公共端接电源正极，所述第一晶体模块的负极端接地(即电源负极)，

所述第二晶体模块的公共端接电源正极，所述第二晶体模块的输出端与所述第四晶体模块的第三端、所述第三晶体模块的输入端同时连接，

所述第三晶体模块的公共端接地，所述第三晶体模块的输出端与所述延时模块的输入端连接，

所述延时模块的输出端与所述第四晶体模块的输入端连接，

所述第四晶体模块的第二端与所述反馈模块的输入端连接，

所述反馈模块的输出端与所述第一晶体模块的输入端连接；

所述第一、二、三晶体模块均为包括半导体放大元件的电路单元，所述第四晶体模块为包括半导体放大元件的电路单元或为双二极管且所述双二极管的公共阴极作为所述第四晶体模块是输入端、所述双二极管的两个阳极分别为第二端和第三端)；

所述第一晶体模块的输入端(IN)输入控制信号时，在所述第二晶体模块输出端(OUT)获得输出控制信号，用于控制外部负载；

在所述第二晶体模块导通时，当发生第二晶体模块过流，通过所述第四晶体模块和所述反馈模块使所述第一晶体模块导通从而使所述第二晶体模块截止并自锁于该状态，用于保护所述第二晶体模块，再经过延时模块延时后，通过所述第四晶体模块、反馈模块使所述第一晶体模块截止进而使所述第二晶体模块导通，使所述第一、二、三、四晶体模块、反馈模块和延时模块构成自复位过流保护驱动电路。

2.如权利要求1所述的四晶体模块自复位过流保护型P管输出高边驱动电路，其特征在于包括：第一晶体模块1、第二晶体模块2、第三晶体模块3、第四晶体模块4、延时模块5和反馈模块6，其中，

所述第一晶体模块1包括三极管Q1和电阻R1，所述三极管Q1基极作为所述第一晶体模块输入端，所述三极管Q1的发射极作为所述第一晶体模块的公共端接电源正极，所述三极管Q1的集电极和电阻R1一端连接作为所述第一晶体模块输出端，电阻R1另一端作为负极端接地(即电源负极)；

所述第二晶体模块2包括场效应功率管Q2，功率管Q2源极作为公共端接电源正极、栅极作为输入端和三极管Q1的集电极连接，漏极作为整个电路的控制端(即输出端)，用于控制外部负载；

所述第三晶体模块3包括三极管Q3和电阻R3，所述三极管Q3的发射极作为所述第三晶体模块的公共端接地，所述三极管Q3的基极通过电阻R3和场效应功率管Q2的漏极连接作为所述第三晶体模块3输入端，所述三极管Q3的集电极作为第三晶体模块的输出端；

所述第四晶体模块4包括三极管Q4，其基极为输入端，所述三极管Q4的发射极作为第二端与所述反馈模块6连接，所述三极管Q4集电极作为第三端与所述场效应功率管Q2漏极连接，

所述反馈模块6包括电阻R6，电阻R6一端作为输入端与所述三极管Q4的发射极连接，所述电阻R6另一端作为输出端与所述三极管Q1基极连接；

所述延时模块5包括电容C1和电阻R5，所述电容C1一端接电源正极，电容C1另一端和电阻R5连接作为所述延时模块输入端和所述三极管Q3集电极连接，所述电阻R5另一端作为所述延时模块输出端和所述三极管Q4基极连接；

所述第一晶体模块的输入端(IN)输入控制信号时，在所述第二晶体模块输出端(OUT)获得输出控制信号，用于控制外部负载；

在所述第二晶体模块导通时，当发生第二晶体模块过流，通过所述第四晶体模块和所述反馈模块使所述第一晶体模块导通从而使所述第二晶体模块截止并自锁于该状态用于保护所述第二晶体模块，再经过延时模块延时后，通过所述第四晶体模块使所述第一晶体模块截止进而使所述第二晶体模块导通，使所述第一、二、三、四晶体模块、反馈模块和延时模块构成自复位过流保护驱动电路。