[发明专利]一种Si/Zr/C复相陶瓷材料的制备方法在审
申请号: | 201710913241.9 | 申请日: | 2017-09-30 |
公开(公告)号: | CN107721428A | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
发明(设计)人: | 周权;倪礼忠;刘帅帅;彭峥强;卢丹 | 申请(专利权)人: | 华东理工大学 |
主分类号: | C04B35/56 | 分类号: | C04B35/56;C04B35/571;C04B35/622 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 si zr 陶瓷材料 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于高性能树脂基陶瓷前驱体制备技术领域,特别涉及一种Si/Zr/C复相陶瓷材料的制备及前驱体的合成方法。
背景技术
含Zr有机前驱体树脂在高温下可以陶瓷化形成ZrO2、ZrC覆盖在材料表面,因ZrO2、ZrC具有高强度、高熔点、高硬度、高温稳定性、高导电率和抗腐蚀等优异的性能,成为高温结构应用的潜在候选材料。目前,含Zr、C等元素的有机前驱体树脂已成为研究热点,可以适用于制备耐高温聚合物的基体、陶瓷化前驱体、耐烧蚀材料等。
SiC作为基体具有耐高温、硬度大、强度高、高温性能优异的优点,同时其高温氧化后在材料表面形成一层SiO2薄膜,能够避免氧化性气体与复合材料直接接触,从而达到提高复合材料抗氧化性能的目的。而研究表明,含有硅锆的复相陶瓷材料,能够发挥ZrC、SiC、以及ZrO2的性能优势,在耐高温材料领域可望得到广泛应用。
本发明采用直接共混法将一种在固化过程中可以发生Diels-Alder反应和Si-H加成反应的硅炔树脂PTSA,以及一种溶解性良好、锆含量较高的含锆前驱体ZNP,利用两者在有机溶剂中优异的溶解性,制备锆硅均相前驱体,经过热处理后得到Si/Zr/C复相陶瓷材料,其较高的陶瓷转化率和锆含量,有望在耐烧蚀材料的研究领域得到进一步发展。
发明内容
将锆元素引入含硅聚合物中制备Si/Zr/C复相陶瓷材料,可以很大程度提高材料的耐烧蚀性能。本发明利用实验室已合成的硅炔树脂PTSA作为硅源,以溶解性良好的含锆聚合物ZNP作为锆源,利用两者的良好溶解性,以质量比1:2、1:1、2:1共混得到锆硅均相前驱体ZPS。将其置于高纯氩气氛下1600~1800℃热处理3~5h,即得到Si/Zr/C复相陶瓷材料。
本发明采用了一种含锆聚合物ZNP,其具有良好的溶解性和较高的锆含量,其结构见说明书附图图1。
本发明所述硅炔树脂PTSA为一类分子主链结构中含有C≡C和Si-H基团的杂化聚合物,其固化发生交联可以变为三维网状结构,其结构式见说明书附图图2。
本发明另一目的是制备Si/Zr/C复相陶瓷材料,其特征如下:
(1)将ZNP与PTSA分别溶解于甲苯中,将两者以不同的质量比共混,得到澄清透明溶液,旋蒸除溶剂后即得ZPS。
(2)氩气保护下,1600~1800℃保温3~5h,得到Si/Zr/C复相陶瓷。
(3)该锆硅前驱体具有较高的陶瓷转化率,且复相陶瓷中锆硅含量较高。
本发明通过将锆元素引入到主链含有大量C≡C和Si-H基团的硅炔树脂中,利用它们的良好溶解性,通过物理共混即可得到均一体系,操作方便,比例易于控制;另外该前驱体在很好保留了硅炔树脂性能的基础上,又能发挥锆元素的耐烧蚀优势,具备良好的陶瓷化性能,有助于实现Si/Zr/C复相陶瓷材料在耐高温烧蚀领域的广泛应用。
具体实施方式:
结合实施例对该复相陶瓷的制备方法进行进一步说明,但其并不限制本发明的保护范围:
实施例1:
取1gZNP和1gPTSA分别溶解于甲苯中,共混得到淡黄色澄清溶液,60℃下旋蒸除溶剂,得蜡状固体ZPS。将其置于高纯氩气氛保护下的管式炉内,按照5℃/min的升温速率升至1600℃,保温3h。即得复相陶瓷。陶瓷转化率为75.98%,锆、硅质量含量分别为39.81%和42.05%。
实施例2:
取2gZNP和1gPTSA分别溶解于甲苯中,共混得到淡黄色澄清溶液,60℃下旋蒸除溶剂,得蜡状固体ZPS。将其置于高纯氩气氛保护下的管式炉内,按照5℃/min的升温速率升至1800℃,保温3h。即得复相陶瓷。陶瓷转化率为74.60%,锆、硅质量含量分别为52.01%和28.65%。
实施例3:
取1gZNP和2gPTSA分别溶解于甲苯中,共混得到淡黄色澄清溶液,60℃下旋蒸除溶剂,得蜡状固体ZPS。将其置于高纯氩气氛保护下的管式炉内,按照5℃/min的升温速率升至1800℃,保温5h。即得复相陶瓷。陶瓷转化率为74.83%,锆、硅质量含量分别为28.39%和48.68%。
综上所述可见,本发明提供的Si/Zr/C复相陶瓷材料的制备方法,操作简单况且锆硅比例可调,其良好的互溶性有助于该复相陶瓷材料在耐烧蚀领域的应用。
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