[发明专利]一种全无机钙钛矿肖特基光电探测器及其制备方法有效
| 申请号: | 201710901624.4 | 申请日: | 2017-09-28 |
| 公开(公告)号: | CN107579138B | 公开(公告)日: | 2019-01-29 |
| 发明(设计)人: | 方国家;桂鹏彬;李博睿;姚方 | 申请(专利权)人: | 武汉大学 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 薛玲 |
| 地址: | 430072 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 无机 钙钛矿肖特基 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
1.一种全无机钙钛矿微米线的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤(1),配置PbI2/DMF混合溶液,PbI2:DMF的质量比为1:7~1:12,在60~90℃下搅拌,使PbI2完全溶解,然后加入一定量去离子水,使其形成过饱和溶液,在室温条件下静置,使PbI2重结晶析出,得到PbI2微米线的悬浮液;
步骤(2),用匀胶机将步骤(1)所得PbI2微米线的悬浮液旋涂到衬底上,然后浸入到CsBr甲醇溶液中充分反应,生长得到CsPbBr3钙钛矿微米线。
2.根据权利要求1所述的全无机钙钛矿微米线的制备方法,其特征在于,步骤(1)所得PbI2微米线直径为2~5μm,长度为30~60μm。
3.根据权利要求1所述的全无机钙钛矿微米线的制备方法,其特征在于,步骤(2)中采用的CsBr甲醇溶液的浓度为3~10mg/ml。
4.根据权利要求1所述的全无机钙钛矿微米线的制备方法,其特征在于,步骤(2)中将PbI2微米线的悬浮液旋涂到衬底上后,在70~100℃下退火10~30min,再浸入CsBr甲醇溶液中。
5.根据权利要求1所述的全无机钙钛矿微米线的制备方法,其特征在于,所得的CsPbBr3微米线由纳米颗粒组成并具有多孔结构。
6.一种全无机钙钛矿肖特基光电探测器的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤a,衬底清洗并以氮气吹干;
步骤b,在步骤a所得衬底上制备呈左右结构的ITO电极;
步骤c,采用权利要求1-5任一项所述的方法,将PbI2微米线的悬浮液旋涂到步骤b所得的衬底上,继续采用权利要求1-5任一项所述的方法,在步骤b所得的衬底上生长出CsPbBr3钙钛矿微米线;
步骤d,将所得CsPbBr3钙钛矿微米线进行退火处理,得到全无机钙钛矿肖特基光电探测器ITO/CsPbBr3/ITO。
7.根据权利要求6所述的全无机钙钛矿肖特基光电探测器的制备方法,其特征在于,所述的衬底为Si/SiO2。
8.根据权利要求6所述的全无机钙钛矿肖特基光电探测器的制备方法,其特征在于,步骤d所述的退火处理的温度为50~250℃,时间为10~30min。
9.一种全无机钙钛矿肖特基光电探测器,其特征在于,采用上述权利要求6-8任一项所述方法制备得到。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





