[发明专利]叠层OLED显示面板及其制造方法、显示装置有效
申请号: | 201710900924.0 | 申请日: | 2017-09-28 |
公开(公告)号: | CN107464833B | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 叶志杰;彭锐;王欣欣;窦义坤;贾文斌;胡月 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示 面板 及其 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种叠层OLED显示面板,其特征在于,包括:
像素限定层,包括多条像素限定区,所述像素限定区交叉形成多个开口;
第一电荷产生层,具有第一掺杂类型,位于所述像素限定层上和所述开口中;
阻隔层,位于所述第一电荷产生层对应所述像素限定区的部分上;
第二电荷产生层,具有第二掺杂类型,位于所述阻隔层和未被所述阻隔层覆盖的所述第一电荷产生层上。
2.根据权利要求1所述的叠层OLED显示面板,其特征在于:所述叠层OLED显示面板还包括:
第一电致发光层,位于第一电极和所述第一电荷产生层之间;
第二电致发光层,位于所述第二电荷产生层和第二电极之间。
3.根据权利要求1或2所述的叠层OLED显示面板,其特征在于,所述像素限定区具有凹陷结构。
4.根据权利要求3所述的叠层OLED显示面板,其特征在于,所述像素限定区的凹陷结构是通过对所述像素限定区干法刻蚀、湿法刻蚀或纳米压印形成。
5.根据权利要求1所述的叠层OLED显示面板,其特征在于,所述阻隔层选自氧化硅、氮化硅、氧化铝、氮化铝、聚合物中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的叠层OLED显示面板,其特征在于,所述叠层OLED显示面板还包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的一个或多个。
7.一种叠层OLED显示面板的制造方法,其特征在于,包括:
形成像素限定层,所述像素限定层包括多条像素限定区,且所述像素限定区交叉形成多个开口;
在所述像素限定区上和所述开口中形成第一电荷产生层,所述第一电荷产生层具有第一掺杂类型;
在所述第一电荷产生层上形成一阻隔层,所述阻隔层位于所述第一电荷产生层对应所述像素限定区的部分上;
在所述阻隔层和未被所述阻隔层覆盖的第一电荷产生层上形成第二电荷产生层,所述第二电荷产生层具有第二掺杂类型。
8.根据权利要求7所述的叠层OLED显示面板的制造方法,其特征在于,包括:
图案化所述像素限定区,在所述像素限定区形成凹陷结构。
9.根据权利要求7或8所述的叠层OLED显示面板的制造方法,其特征在于,包括:
在第一电极和所述第一电荷产生层之间形成第一电致发光层;
在所述第二电荷产生层和第二电极之间形成第二电致发光层。
10.一种叠层OLED显示装置,其特征在于:包含如权利要求1-6任一项所述的叠层OLED显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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