[发明专利]存储器及其形成方法、半导体器件

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，包括：

一衬底，在所述衬底上形成有多个有源区，每一所述有源区的一端部各包含一个节点接触区；

多条位线，设置在所述衬底上并沿着第一方向延伸，主要用于构成多条第一隔离屏障，且两条相邻的所述第一隔离屏障之间的间隔界定出一沿着所述位线延伸的凹槽；

多条第二隔离屏障，设置在所述衬底上并沿着第二方向延伸，所述第一隔离屏障和所述第二隔离屏障相交，且所述第二隔离屏障的顶表面低于所述第一隔离屏障的顶表面，以在所述凹槽中分隔出多个接触窗，每一所述节点接触区对应地显露於一个所述接触窗中；以及，

多个节点接触，填充在所述凹槽中的多个所述接触窗中并延伸覆盖至所述第二隔离屏障的上方，位于同一所述凹槽中的相邻的所述节点接触之间通过一暴露有所述第二隔离屏障的分隔开口相互分隔，其中，所述分隔开口呈波形结构延伸并局部重迭在所述第二隔离屏障上，并且所述分隔开口的波形结构在相邻的两个所述凹槽中的部位分别对应朝向所述第一方向的波峰和背离所述第一方向的波谷，以使位于两个相邻的所述凹槽中的所述节点接触的顶表面分别沿着所述第一方向往相反方向扩张延伸至所述第二隔离屏障的上方。

2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述衬底中设置有多条沿着所述第二方向延伸的坎入式字线，所述第二隔离屏障以多段分隔线方式对准在所述字线上，所述字线在所述衬底上的投影和所述位线相交，以界定出的多个棋盘分格，对应所述节点接触区；所述第二隔离屏障的位置对应所述字线的位置并且所述第二隔离屏障的宽度大于等于所述字线的宽度。

3.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述位线的侧壁上形成有一隔离侧墙，所述位线和所述隔离侧墙共同构成所述第一隔离屏障。

4.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述分隔开口具有非对应于所述第二隔离屏障的形状，所述分隔开口的底部延伸至所述第二隔离屏障中。

5.如权利要求1至4中任一项所述的存储器，其特征在于，在所述分隔开口的所述波形结构中，位于所述波峰和所述波谷上的两个相互靠近的侧壁之间的最大波幅值小于所述第二隔离屏障的宽度值，以及位于所述波峰和所述波谷上的两个相互远离的侧壁之间的最大波幅值大于所述第二隔离屏障的宽度值，以使所述节点接触部分覆盖至所述第二隔离屏障。

6.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，在所述衬底中形成有多个有源区，每一所述有源区的一端部各包含一个节点接触区；

形成多条位线在所述衬底上，所述位线沿着第一方向延伸主要用于构成多条第一隔离屏障，两条相邻的所述第一隔离屏障之间的间隔界定出一沿着所述位线延伸的凹槽；

形成多条第二隔离屏障在所述衬底上，所述第二隔离屏障沿着第二方向延伸并与所述第一隔离屏障相交，且所述第二隔离屏障的顶表面低于所述第一隔离屏障的顶表面，以在所述凹槽中分隔出多个接触窗，每一所述节点接触区对应地显露於一个所述接触窗中；

对准填充一导电层在所述凹槽中，所述导电层填充所述凹槽中的多个所述接触窗并延伸覆盖至所述第二隔离屏障的上方，以使位于同一所述凹槽中的所述导电层沿着所述第一方向连续延伸；以及，

以刻蚀方式形成多个分隔开口在所述导电层中，所述分隔开口位于所述第二隔离屏障上方的部分暴露出所述第二隔离屏障，使相邻的所述接触窗中所对应的相邻的所述导电层相互分隔，以构成多个节点接触，其中，所述分隔开口呈波形结构延伸并局部重迭在所述第二隔离屏障上，并且所述分隔开口的波形结构在相邻的两个所述凹槽中的部位分别对应朝向所述第一方向的波峰和背离所述第一方向的波谷，以使位于相邻的两个所述凹槽中的所述节点接触的顶表面分别沿着所述第一方向往相反方向扩张延伸至所述第二隔离屏障的上方。

7.如权利要求6所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述衬底中形成有多条沿着所述第二方向延伸的坎入式字线，所述第二隔离屏障对准在所述字线上，且所述字线在所述衬底上的投影和所述位线相交，以界定出的多个棋盘分格，对应所述节点接触区，所述第二隔离屏障的位置对应所述字线的位置并且所述第二隔离屏障的宽度大于等于所述字线的宽度。