[发明专利]一种机器人自动控制集成电路

权利要求书

1.一种机器人自动控制集成电路，其特征在于，包括：钳位电路、抑制干扰电路、检测电路、反相电路；

所述钳位电路包括第一P晶体管(P1)、第二P晶体管(P2)、第三P晶体管(P3)及第一N晶体管(N1)，

其中，所述第一P晶体管(P1)的源极与第二P晶体管(P2)的源极同时连接至电源电压VDD；

所述第三P晶体管(P3)的源极连接至第一P晶体管(P1)的栅极、漏极及第二P晶体管(P2)的栅极，栅极、漏极接地；

所述第一N晶体管(N1)的栅极、漏极并接后连接至第二P晶体管(P2)的漏极，源极接地；

所述检测电路包括第二N晶体管(N2)、第三N晶体管(N3)、第四N晶体管(N4)及第四P晶体管(P4)，

其中，所述第四P晶体管(P4)的漏极与第四N晶体管(N4)的漏极同时连接至电源电压VDD，漏极与第二N晶体管(N2)的漏极、第四N晶体管(N4)的栅极连接；

所述第三N晶体管(N3)的漏极与第二N晶体管(N2)的源极、第四N晶体管(N4)的源极连接，源极接地；

所述第二N晶体管(N2)的栅极、第三N晶体管(N3)的栅极及第四P晶体管(P4)的栅极同时连接至所述钳位电路中第二P晶体管(P2)的漏极。

2.根据权利要求1所述的机器人自动控制集成电路，其特征在于，所述抑制干扰电路包括二极管D1、第一电阻(R1)、第一电容(C1)，所述二极管D1与第一电阻(R1)电连接，串联的二极管D1、第一电阻(R1)与第二电容(C2)同时与第四P晶体管(P4)并联电连接。

3.根据权利要求2所述的机器人自动控制集成电路，其特征在于，所述二极管D1为肖特基二极管，包括IN5818或IN5819。

4.根据权利要求1所述的机器人自动控制集成电路，其特征在于，所述反相电路的型号为74LS04。

5.根据权利要求1所述的机器人自动控制集成电路，其特征在于，所述反相电路包括第五P晶体管(P5)、第五N晶体管(N5)，所述第五P晶体管(P5)与第五N晶体管(N5)在电源端与地之间串联连接，其中，所述第五P晶体管(P5)的源极接到电源端；

所述第五N晶体管(N5)的栅极与第五P晶体管(P5)的栅极同时接到接到检测电路中第四P晶体管(P4)的漏极，源极接地，漏极接到第五P晶体管(P5)的漏极，并输出控制信号。

6.根据权利要求1所述的机器人自动控制集成电路，其特征在于，所述集成电路中的分压比例可通过调整第一电阻(R1)与第二P晶体管(P2)的尺寸确定。

7.根据权利要求1所述的机器人自动控制集成电路，其特征在于，所述钳位电路中的钳位分压比例可通过调整第一N晶体管(N1)与第二P晶体管(P2)的尺寸确定。

8.根据权利要求1所述的机器人自动控制集成电路，其特征在于，所述晶体管采用场效应管、双极晶体管中的一种或多种。

9.根据权利要求1-8任一所述的机器人自动控制集成电路，其特征在于，所述第一P晶体管(P1)、第二P晶体管(P2)、第三P晶体管(P3)、第四P晶体管(P4)及第六P晶体管(P5)为PMOS管，第一N晶体管(N1)、第二N晶体管(N2)、第三N晶体管(N3)、第四N晶体管(N4)及第六N晶体管(N5)为NMOS管。

10.根据权利要求9所述的机器人自动控制集成电路，其特征在于，所述机器人自动控制集成电路用于芯片中。