[发明专利]一种人工耳蜗电极及其制备方法

权利要求书

1.一种人工耳蜗电极，其特征在于，所述人工耳蜗电极设有屏蔽电极点之间串扰的结构；

所述屏蔽电极点之间串扰的结构，是指：每一个电极点被地线包围，每个电极点之间互相屏蔽，每一个电极点和地线之间的电场均匀分布于该结构之间；

所述屏蔽电极点之间串扰的结构，是指：每一个电极点被一条地线包围结构所包裹；

所述地线全部都连接在一起，形成空腔导体，腔内电场不影响外部电场。

2.根据权利要求1所述的一种人工耳蜗电极，其特征在于，所述包围结构，长度与电极点的直径之比可调，以寻求一个最佳屏蔽点。

3.根据权利要求2所述的一种人工耳蜗电极，其特征在于，所述包围结构，长度与电极点的直径比大于等于1。

4.一种权利要求1-3任一项所述人工耳蜗电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、在基底上制作一层金属作为牺牲层；

步骤2、在金属牺牲层上面旋涂一层聚合物作为衬底层；

步骤3、在聚合物衬底层上面溅射金属，并利用光刻、显影离子束刻蚀形成金属层，以形成每一个电极点被一个被地线包围的结构；

步骤4、在金属层上旋涂一层聚合物做绝缘层，得到基底上电极器件；

步骤5、将步骤4的电极器件从基底上释放下来；

步骤6、将步骤5的电极器件用聚合物进行封装。

5.根据权利要求4所述的一种人工耳蜗电极的制备方法，其特征在于，步骤1中，具有如下一种或多种特征：

-所述基底为硅片、玻璃片、石英片中的任一种；

-所述牺牲层的金属为Al或Au。

6.根据权利要求5所述的一种人工耳蜗电极的制备方法，其特征在于，步骤3中，具有如下一种或多种特征：

-所述溅射的金属为Cr/Au或者Ti/Au；

-所述溅射的金属Cr/Au或者Ti/Au，厚度为30/300nm；

-所述包围的结构采用两种封装方式中任一种：一种被绝缘层覆盖，一种直接裸露出来。

7.根据权利要求4-6任一项所述的一种人工耳蜗电极的制备方法，其特征在于，步骤5中，将基底置于NaCl溶液中通过电化学方法释放，或浸泡在酸中进行释放。

8.根据权利要求4-6任一项所述的一种人工耳蜗电极的制备方法，其特征在于，步骤6中，所述聚合物为聚二甲基硅氧烷、环氧树脂、聚酰亚胺中的一种。