[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法及驱动方法、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：栅极图形、栅极绝缘层、有源层图形、源漏极图形和钝化层；

其中，所述有源层图形的材料包括：碳纳米管材料，所述钝化层的材料为阻荷材料，所述阻荷材料用于通过与所述碳纳米管材料表面的羟基发生反应，以减少所述碳纳米管材料表面的羟基，进而减少所述碳纳米管材料的表面的移动电荷；

所述栅极图形、所述栅极绝缘层、所述有源层图形、所述源漏极图形和所述钝化层依次叠加设置，所述栅极图形包括同层设置且相互绝缘的第一栅极和第二栅极，所述栅极绝缘层包括同层设置的第一栅绝缘层和第二栅绝缘层，所述有源层图形包括同层设置且相互绝缘的第一有源层和第二有源层，所述源漏极图形包括同层设置的第一源漏极图形和第二源漏极图形，所述第一源漏极图形包括相互绝缘的第一源极和第一漏极，所述第二源漏极图形包括相互绝缘的第二源极和第二漏极，其中，所述第一漏极和所述第二源极电连接，或者，所述第一源极与所述第二漏极电连接，

所述第一栅极、所述第一栅绝缘层、所述第一有源层、所述第一源漏极图形和所述钝化层依次叠加设置，所述第二栅极、所述第二栅绝缘层、所述第二有源层、所述第二源漏极图形和所述钝化层依次叠加设置；

或者，

所述有源层图形、所述栅极绝缘层、所述栅极图形、所述钝化层和源漏极图形依次叠加设置，所述有源层图形包括同层设置且相互绝缘的第一有源层和第二有源层，所述栅极绝缘层包括同层设置的第一栅绝缘层和第二栅绝缘层，所述栅极图形包括同层设置且相互绝缘的第一栅极和第二栅极，所述源漏极图形包括同层设置的第一源漏极图形和第二源漏极图形，所述第一源漏极图形包括相互绝缘的第一源极和第一漏极，所述第二源漏极图形包括相互绝缘的第二源极和第二漏极，其中，所述第一漏极和所述第二源极电连接，或者，所述第一源极与所述第二漏极电连接，

所述第一有源层、所述第一栅绝缘层、所述第一栅极、所述钝化层和所述第一源漏极图形依次叠加设置，所述第二有源层、所述第二栅绝缘层、所述第二栅极、所述钝化层和所述第二源漏极图形依次叠加设置。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述第一栅极和所述第二栅极之间存在间隙；

所述第一有源层和所述第二有源层之间存在间隙；

所述第一栅绝缘层和所述第二栅绝缘层之间存在间隙，或者，所述第一栅绝缘层和所述第二栅绝缘层为整层结构。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述间隙中设置有第一填充介质，所述第一填充介质的材料为绝缘且透明的材料。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述第一填充介质的材料包括：二氧化硅或氮化硅。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述有源层图形上设置有过孔，所述过孔中设置有第二填充介质，所述第二填充介质的材料为高迁移率材料。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述第二填充介质的材料包括：铟镓锌氧化物、氧化铟锌、低温多晶硅或二硫化钼。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述钝化层的材料包括：三氧化二铝。