[发明专利]研磨垫

说明书

一种研磨垫，包含第一区域，第一区域具有第一几何性质及第一材料性质。研磨垫还包含第二区域，第二区域具有第二几何性质及第二材料性质，其中第二区域比第一区域更靠近研磨垫的边缘。第一几何性质不同于第二几何性质、或第一材料性质不同于第二材料性质。

技术领域

本揭露内容实施例是有关一种研磨垫及其使用方法，特别是关于一种用于化学机械研磨(chemical mechanical polishing,CMP)的研磨垫及其使用方法。

背景技术

在半导体制造流程中，化学机械研磨(chemical mechanical polishing,CMP)被广泛地用以从晶圆的表面移除材料并产生平坦化的表面。化学机械研磨制程使用研磨垫(polishing pad)及浆料(slurry)所组合的动作以从晶圆移除材料。浆料有助于分解晶圆曝露的材料，以助于通过研磨垫机械性地去除曝露的材料。

发明内容

根据本揭露内容的多个实施方式，是提供一种研磨垫，包含第一区域及第二区域。第一区域具有第一几何性质及第一材料性质。第二区域具有第二几何性质及第二材料性质，其中第二区域比第一区域更靠近研磨垫的边缘。第一几何性质不同于第二几何性质、或第一材料性质不同于第二材料性质。

为使本揭露内容的上述及其他目的、特征和优点更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并配合所附附图详细说明如下。

附图说明

由下文的详细说明并同时参照附图能够最适当地理解本揭示内容的态样。应注意，依据工业中的标准实务，多个特征并未按比例绘制。实际上，多个特征的尺寸可任意增大或缩小，以便使论述明晰。

图1为根据本揭露内容某些实施方式的CMP设备的侧视示意图；

图2为根据本揭露内容某些实施方式的研磨垫的俯视示意图；

图3为根据本揭露内容某些实施方式的研磨垫的剖面示意图；

图4为根据本揭露内容某些实施方式的研磨垫的剖面示意图；

图5为根据本揭露内容某些实施方式的研磨垫的剖面示意图；

图6为根据本揭露内容某些实施方式的研磨垫的剖面示意图；

图7为根据本揭露内容某些实施方式的研磨垫的剖面示意图；

图8为根据本揭露内容某些实施方式的研磨垫的剖面示意图；

图9为根据本揭露内容某些实施方式的包含浆料的研磨垫的剖面示意图；

图10为根据本揭露内容某些实施方式的使用研磨垫的方法的流程图；

图11是根据一实施方式的研磨垫与其它研磨垫排列相比的平坦化制程结果的图表。

具体实施方式

可以理解的是以下揭露内容提供许多不同的实施方式或实施例，用以实行本揭露内容的不同特征。以下描述成分及排列的特定实施方式或实施例，以简化本揭露内容。当然，这些仅为实施例且不意欲限制本揭露内容。举例来说，元件的尺度并不被限制于揭露的范围或数值，但可取决于制程条件及/或装置所期望的性质。此外，在下面的描述中，第一特征形成于第二特征上或上方可包含第一特征直接接触第二特征而形成的实施方式，且可包含额外特征可行成于第一特征及第二特征中间的实施方式，使得第一特征及第二特征不会直接接触。为了简洁及清楚，可任意地以不同的尺度任意绘制各种特征。在附图中，为了简化可省略某些层/特征。