[发明专利]成膜装置、成膜方法以及太阳能电池的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及在真空中借助溅射在基板的单面上进行成膜的成膜装置的技术，特别涉及在异质结型太阳能电池用的基板的单面上形成金属层的技术。

背景技术

近年来，作为清洁且安全的能源，太阳能电池被实用化，其中异质结型太阳能电池集中受到关注。

异质结型太阳能电池与单晶硅太阳能电池相比转换效率高，此外，因为使用非晶硅层，所以具有能够减少硅的使用量等优点。

近年来，作为异质结型太阳能电池单元，提出了在受光面不具有电极而在与受光面相反的一侧的背侧面具有背面电极的所谓的后触点构造的方案。

该背面电极由金属构成并利用借助溅射进行的成膜而形成，但在借助溅射形成金属层时，温度变得相当高，因此为了避免对其它膜的影响，需要在成膜时(前后)进行冷却。

但是，在对形成有金属层的基板进行冷却的情况下，存在难以对金属层进行直接冷却并且由于金属层的发射率低从而在间接地进行冷却的情况下效率也低的问题。

此外，作为异质结型太阳能电池在受光面具有由金属构成的电极层的情况下，也存在同样的问题。

在将电极层的厚度形成得较厚的情况下，需要反复进行金属层的成膜，因此这样的问题成为重要的问题。

并且，上述问题不仅在异质结型太阳能电池的成膜对象基板上形成金属层时会出现，而且在成膜对象基板上形成由金属构成的溅射膜时也会出现。

专利文献1：日本特开2011-146528号公报。

发明内容

本发明是考虑了这样的以往的技术问题而作出的，其目的在于提供一种在借助溅射在成膜对象基板上形成金属层的情况下能够高效且可靠地进行冷却的技术。

此外，本发明的另一目的在于提供一种在借助溅射在成膜对象基板上形成由金属构成的背面电极或者正面电极的情况下能够高效且可靠地进行冷却的异质结型太阳能电池的制造技术。

为了实现上述目的而作出的第1发明是下述成膜装置，该成膜装置具备：真空槽，其形成有单一的真空气氛；冷却区域，其设置于前述真空槽内，从第1面侧对被保持于基板保持器的成膜对象基板进行冷却；金属层成膜区域，其设置于前述真空槽内，具有溅射源，在被保持于前述基板保持器的前述成膜对象基板的第2面上进行金属层的成膜；输送路径，其以相对于铅垂面的投影形状为一连串的环状的方式形成，并以通过前述金属层成膜区域以及前述冷却区域的方式设置；以及基板保持器输送机构，其将前述基板保持器以设成水平的状态沿前述输送路径输送，前述基板保持器输送机构具有：第1输送部，其沿着前述输送路径将前述基板保持器向既定方向输送；第2输送部，其沿着前述输送路径将前述基板保持器向与前述第1输送部的输送方向相反的方向输送；以及输送折返部，其将前述基板保持器以维持上下关系的状态从前述第1输送部朝向前述第2输送部折返地输送，前述成膜装置被设置成：前述第1输送部通过前述金属层成膜区域以及前述冷却区域中的一方，且前述第2输送部通过前述金属层成膜区域以及前述冷却区域中的另一方。