[发明专利]金刚石基场效应晶体管的制备方法及场效应晶体管

权利要求书

1.一种金刚石基场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

在金刚石层的上表面形成导电层；其中，所述金刚石层为高阻层；

在所述金刚石层上制作有源区台面；

在所述导电层上与源电极区对应的第一区域制作源电极，在所述导电层上与漏电极区对应的第二区域制作漏电极；

在所述导电层上与源栅区对应的第三区域的上表面淀积光催化剂介质层，在所述导电层上与栅漏区对应的第四区域的上表面淀积光催化剂介质层；所述光催化剂介质层为具有光催化剂作用的半导体材料；

光照所述光催化剂介质层；

在所述导电层上与栅电极区对应的第五区域淀积栅介质层，在所述栅介质层的上表面制作栅电极。

2.如权利要求1所述的金刚石基场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述在所述金刚石层上制作有源区台面之前，所述方法还包括：

在所述导电层的上表面淀积第一金属层。

3.如权利要求2所述的金刚石基场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述在所述金刚石层上制作有源区台面，具体包括：

通过光刻工艺在第一金属层上与有源区对应的区域覆盖光刻胶；

通过腐蚀液去除与无源区对应的区域的第一金属层；

通过刻蚀工艺去除与所述无源区对应的区域的导电层；

去除所述光刻胶。

4.如权利要求3所述的金刚石基场效应晶体管的制备方法，其特征在于，在所述导电层上与源电极区对应的第一区域制作源电极，在所述导电层上与漏电极区对应的第二区域制作漏电极，具体包括：

在所述第一金属层上与所述源电极区和所述漏电极区对应的区域之外的区域覆盖光刻胶；

在所述第一金属层上与所述源电极区对应的区域的上表面淀积第二金属层形成源电极，在所述第一金属层上与所述漏电极区对应的区域的上表面淀积第二金属层形成漏电极；

去除光刻胶。

5.如权利要求4所述的金刚石基场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述在所述导电层上与源栅区对应的第三区域的上表面淀积光催化剂介质层，在所述导电层上与栅漏区对应的第四区域的上表面淀积光催化剂介质层，具体包括：

淀积光催化剂介质层；

在光催化剂介质层上与源栅区对应的区域和栅漏区对应的区域均覆光刻胶；

分别去除所述源电极区、所述漏电极区、所述栅电极区和所述无源区对应区域的光催化剂介质层；

去除所述光刻胶。

6.如权利要求1所述的金刚石基场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述在所述金刚石层上制作有源区台面，具体包括：

在所述导电层上与有源区对应区域覆盖光刻胶；

去除无源区对应区域的导电层，形成有源区台面；

去除所述光刻胶。

7.如权利要求1所述的金刚石基场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述在所述导电层上与源电极区对应的第一区域制作源电极，在所述导电层上与漏电极区对应的第二区域制作漏电极，具体包括：

通过光刻工艺在所述第一区域和所述第二区域之外的区域覆盖光刻胶；

在所述第一区域的上表面淀积第二金属层形成源电极，在所述第二区域的上表面淀积第二金属层形成漏电极；

去除所述光刻胶；

通过退火工艺使所述源电极区对应的导电层与所述第二金属层形成欧姆接触，以及使所述漏电极区对应的导电层与所述第二金属层形成欧姆接触。

8.如权利要求1所述的金刚石基场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述在所述导电层上与所述栅电极区对应的第五区域淀积栅介质层，在所述栅介质层的上表面制作栅电极，具体包括：

在所述导电层上第五区域之外的区域覆盖光刻胶；

在所述第五区域的上表面淀积栅介质层；

在所述栅介质层的上表面淀积第三金属层；

去除所述光刻胶。