[发明专利]一种基于湿法清洗机的加热控制系统有效
申请号: | 201710786276.0 | 申请日: | 2017-09-04 |
公开(公告)号: | CN109427615B | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 赵丽莉;李培源;李楠;陈波 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G05D27/02 |
代理公司: | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人: | 房德权 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 湿法 清洗 加热 控制系统 | ||
本发明涉及一种基于湿法清洗机的加热控制系统。所述加热控制系统包括:加热器、液位传感器、液位断路器、第一数字温控器、第二数字温控器、功率控制器和一体机;所述第一数字温控器与所述加热器底部的加热丝相连,所述第二数字温控器与所述功率控制器、所述加热器形成闭环;所述液位传感器通过支架固定在所述加热器本体的侧壁上,所述液位传感器通过所述液位断路器分别与所述第二数字温控器、所述功率控制器相连;所述一体机分别与所述第一数字温控器、所述第二数字温控器、所述功率控制器相连。本发明通过数字温控器、功率控制器构建的系统,实现加热系统的额定电流保护、加热软启动、高低温保护以及对试剂温度的精确控制。
技术领域
本发明涉及半导体加工设备技术领域,尤其涉及一种基于湿法清洗机的加热控制系统。
背景技术
湿法清洗机对硅片进行清洗,加热去离子水清洗的优点在于它有助于去除残余化学物(尤其是使用了某种HF酸溶液),能改进干燥后的硅片的性能。因此需要一套稳定、安全的加热系统对清洗机所用的试剂进行加热处理。
现有清洗机的加热系统一般由加热控制器连接加热器构成,但是这种加热方式的控制精度低、可靠性低并且缺少安全保护。同时,现有加热器的液位传感器的探头是安装在加热器出口管路的下方,在实际的应用中,液泵停止对加热器内的液体提供压力后,被浸没在液体中的加热丝会逐渐暴露出液面,(加热器会因温度过高而损坏)此时需要断路器根据液位传感器采集的管路中水有或无的信号,来接通或切断加热器的电流;但是在液泵停止工作后,加热器出口管道下方会残留液体,造成液位传感器失效,导致断路器无法正常断开电路中的电流,而造成事故隐患。
发明内容
本发明需要解决的技术问题是提供一种基于湿法清洗机的加热控制系统,实现加热控制系统的额定电流保护、加热软启动、短路电流保护、高低温保护以及对试剂温度的精确控制。
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种基于湿法清洗机的加热控制系统,所述加热控制系统包括:加热器、液位传感器、液位断路器、第一数字温控器、第二数字温控器、功率控制器和一体机;
所述第一数字温控器与所述加热器底部的加热丝相连,用于读取所述加热器的加热丝温度;所述第二数字温控器与所述功率控制器、所述加热器形成闭环;所述液位传感器通过支架固定在所述加热器本体的侧壁上,所述液位传感器通过所述液位断路器分别与所述第二数字温控器、所述功率控制器相连;所述一体机分别与所述第一数字温控器、所述第二数字温控器、所述功率控制器相连;
当所述液位传感器对准的位置没有液体经过时,所述液位断路器断开,同时所述功率控制器和所述加热器停止工作,所述液位断路器反馈报警信号;所述一体机通过控制所述功率控制器供电的通断进而控制所述加热器电流的开闭。
进一步地,所述加热控制系统还包括:固态继电器和熔断器;所述固态继电器与所述熔断器依次设置在所述一体机与所述功率控制器之间的线路上;所述固态继电器用于控制所述加热器供电的开闭,所述熔断器用于实现线路的大电流保护。
进一步地,所述加热控制系统还包括:灯塔;所述灯塔与所述一体机相连,所述灯塔用于提供所述加热控制系统运行状态的视觉信号与蜂鸣信号。
进一步地,所述加热控制系统还包括:DeviceNet单元和设置在所述一体机内的采集板卡,所述DeviceNet单元的总线与所述一体机内的采集板卡连接;所述DeviceNet单元分别与所述第一数字温控器、所述第二数字温控器、所述固态继电器、所述灯塔相连;所述一体机通过所述DeviceNet单元发送命令给所述固态继电器,电源经过所述固态继电器和所述熔断器向所述功率控制器供电,所述DeviceNet单元控制所述供电的通断;所述第一数字温控器的高低温报警通过Devicenet单元上传给一体机;所述DeviceNet单元根据所述一体机采集到的所述第一数字温控器和所述第二数字温控器的报警信号,向所述灯塔发出蜂鸣或相应指示灯亮灭的信号。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造