[发明专利]OLED-TFT基板及其制造方法、显示面板

权利要求书

1.一种OLED-TFT基板的制造方法，其特征在于，包括：

在一衬底基材上形成TFT，所述TFT包括贯穿所述TFT的钝化层和介电层的发光开口，所述发光开口暴露所述TFT的半导体图案；

采用喷墨打印技术在所述发光开口中形成有机发射图案，所述半导体图案包括沟道区和位于所述沟道区两侧的第一掺杂区和第二掺杂区，所述有机发射图案形成于所述第二掺杂区上；

在所述钝化层上形成电极图案，所述电极图案覆盖于所述发光开口中，并覆盖所述有机发射图案；

其中，所述在一衬底基材上形成TFT，包括：

在衬底基材上形成遮光图案和覆盖所述遮光图案的缓冲层；

在所述缓冲层上形成半导体图案，以及依次覆盖所述半导体图案的绝缘层和金属层；

在所述金属层上覆盖一光刻胶层，并对所述光刻胶层进行曝光显影，形成仅位于所述遮光图案上方的光刻胶图案；

刻蚀去除未被所述光刻胶图案遮盖的金属层和绝缘层；

对未被剩余绝缘层所遮盖的半导体图案进行掺杂处理，形成沟道区和位于所述沟道区两侧的第一掺杂区和第二掺杂区；

在所述剩余金属层上形成覆盖所述缓冲层、所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的介电层，所述介电层开设有暴露所述第一掺杂区的第一过孔和暴露所述第二掺杂区的第二过孔和第一开口；

在所述介电层上形成源极图案和漏极图案，所述源极图案覆盖于所述第一过孔中并与所述第一掺杂区电连接，所述漏极图案覆盖于所述第二过孔中并与所述第二掺杂区电连接；

在所述TFT的源极图案和漏极图案上形成覆盖所述介电层的钝化层，所述钝化层开设有第二开口，所述第二开口与所述第一开口导通并构成所述TFT的发光开口；

所述第一开口在衬底基材上的正投影落于所述第二开口在衬底基材上的正投影之内。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一开口的侧壁和所述第二开口的侧壁均为斜面。

3.一种OLED-TFT基板，其特征在于，所述OLED-TFT基板包括：

衬底基材；

形成于所述衬底基材上的TFT，所述TFT包括贯穿所述TFT的钝化层和介电层的发光开口，所述发光开口暴露所述TFT的半导体图案，所述半导体图案包括沟道区和位于所述沟道区两侧的第一掺杂区和第二掺杂区；

形成于所述发光开口中的有机发射图案，所述有机发射图案基于喷墨打印技术形成于所述第二掺杂区上；

形成于所述钝化层上的电极图案，所述电极图案覆盖于所述发光开口中，并覆盖所述有机发射图案；

其中，所述TFT包括：

形成于所述衬底基材上的遮光图案和覆盖所述遮光图案的缓冲层；

形成于所述缓冲层上的半导体图案，所述半导体图案包括沟道区和位于所述沟道区两侧的第一掺杂区和第二掺杂区；

依次覆盖所述半导体图案的绝缘层和栅极图案，所述绝缘层和栅极图案位于所述遮光图案的上方；

形成于所述栅极图案上的介电层，所述介电层覆盖所述缓冲层、所述第一掺杂区和所述第二掺杂区，且所述介电层开设有暴露所述第一掺杂区的第一过孔和暴露所述第二掺杂区的第二过孔和第一开口；

形成于所述介电层上的源极图案和漏极图案，所述源极图案覆盖于所述第一过孔中并与所述第一掺杂区电连接，所述漏极图案覆盖于所述第二过孔中并与所述第二掺杂区电连接；

形成于所述源极图案和漏极图案上并覆盖所述介电层的钝化层，所述钝化层开设有第二开口，所述第二开口与所述第一开口导通并构成所述TFT的发光开口；

所述第一开口在衬底基材上的正投影落于所述第二开口在衬底基材上的正投影之内。

4.根据权利要求3所述的OLED-TFT基板，其特征在于，所述半导体图案的制造材料包括铟镓锌氧化物IGZO、铟锌锡氧化物IZTO、以及铟镓锌锡氧化物IGZTO中的任一种。

5.根据权利要求3所述的OLED-TFT基板，其特征在于，所述第一开口的侧壁和所述第二开口的侧壁均为斜面。

6.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如上述权利要求3～5任一项所述的OLED-TFT基板。